Produkte > RFP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RFP30P05 | INTERSIL | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| RFP30P06 | FSC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| RFP30P06 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP30P06 | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-247 P-Ch Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP3118 | B&K Precision | Description: RF SENSOR RFM3000 SERIES Packaging: Box For Use With/Related Products: RFM3000 Series Tool Type: RF Sensor Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP3118 | B&K Precision | RF Test Equipment 18 GHz RF Power Sensor, Real-Time | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP3118 | B&K PRECISION | Description: B&K PRECISION - RFP3118 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 18GHz, -50dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, N-Stecker, RFP3000 Prüffrequenz: 50MHz bis 18GHz Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s Leistungsmessbereich: -50dBm bis +20dBm HF-Steckverbinder: N-Stecker Produktpalette: RFP3000 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP3140 | B&K Precision | Description: RF SENSOR RFM3000 SERIES Packaging: Box For Use With/Related Products: RFM3000 Series Tool Type: RF Sensor Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP3140 | B&K Precision | RF Test Equipment 40 GHz RF Power Sensor, Real-Time | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP3N45 | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP3N45 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP40-100 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP40-100RE | auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP40-33 | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP40N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP40N10 Produktcode: 56479
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
|
| |||||||||||
| RFP40N10 | onsemi | MOSFETs TO-220AB N-Ch Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP40N10 | ONS/FAI | MOSFET Transistor, N-Channel, 40A, 100V, TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP40N10LE | onsemi / Fairchild | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP40N10LE | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 40A, 5V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP40N10LE9A | Renesas / Intersil | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP40N10S5001 | Harris Corporation | Description: 40A, 100V, 0.04OHM, N CHANNEL, M Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP40N10_F102 | Fairchild Semiconductor | Description: 40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP40N10_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET PWR MOS 100V/40A/0.040 OHM N-CH TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP40N10_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP40P06 | auf Bestellung 1899 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP4232PBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP425B | PRINT-RITE | Description: PRINT-RITE - RFP425B - Farbfilm, kompatibel, schwarz - ersetzt Panasonic KX-FA52 Verbrauchsmaterialtyp: Kompatibel Druckermarke: Panasonic Typennummer Originalpatrone: KX-FA52 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP42N03 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP42N03L | Harris Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 42A, 5V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | auf Bestellung 63600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP45N02L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | auf Bestellung 1871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP45N03 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP45N03L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | auf Bestellung 41855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP45N03SM | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP45N06 | auf Bestellung 5658 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP45N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP45N06LE | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | auf Bestellung 1569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP45N06LE | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP45N06_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP4N05 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 6728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP4N05L | onsemi / Fairchild | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP4N05L | Fairchild Semiconductor | Description: 4A, 50V, 0.8OHM, N-CHANNEL MOSFE Packaging: Bulk | auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP4N05L | ONSEMI | Description: ONSEMI - RFP4N05L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP4N06 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | auf Bestellung 1079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP4N100 | auf Bestellung 5747 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP4N35 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP4N40 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V | auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50-30AMZ | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP500 | Brady Corporation | Description: (RFP) RFP500, PAD, 15"X19", LGT, Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N03 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP50N05 | HARRIS | RFP50N05 | auf Bestellung 6402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N05 | HARRIS | RFP50N05 | auf Bestellung 1353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N05 | HARRIS | RFP50N05 | auf Bestellung 3398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N05 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V | auf Bestellung 14764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N05 | HARRIS | RFP50N05 | auf Bestellung 3611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N05L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N05L | onsemi | MOSFETs 50V/50a/0.022Ohm NCh Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N05L_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET PWR MOS 50V/50A/0.022 OHM N-CH LOGIC-LVL TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N05L_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET 50V/50a/0.022Ohm NCh Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 | HARRIS | RFP50N06 | auf Bestellung 8046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 Produktcode: 182601
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| ON | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 50 А Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 | HARRIS | RFP50N06 | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 | ON-Semiconductor | N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 131W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm | auf Bestellung 913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 Produktcode: 182599
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Harris | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 50 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ом Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||
| RFP50N06 | Harris Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V | auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N06 | HARRIS | RFP50N06 | auf Bestellung 1179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 | onsemi | MOSFETs TO-220AB N-CH POWER | auf Bestellung 9141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 | ONS/FAI | TO220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 Produktcode: 25146
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| FS | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 50 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||
| RFP50N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06 TO220AB VBSEMI ELEC | VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 11mOhm; 60A; 136W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: VBM1615; RFP50N06 TRFP50N06 VBS Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06LE Produktcode: 189268
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| JSMICRO | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 50 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ом Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||
| RFP50N06R4034 | HARRIS | RFP50N06R4034 | auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06R4034 | Harris Corporation | Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||
| RFP50N06S5001 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP50N06_F102 | Fairchild Semiconductor | Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N06_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N06_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-220AB N-CH POWER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RFP50N60 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP515538-1 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP515538-2 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP515538-3 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP515538-5 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP54N06 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP6002 | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP60N03 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP60N06 | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP60P06 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RFP6120 | BGA | auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| RFP62010 | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
