Produkte > XP3

Wählen Sie Seite: [ << Vorherige Seite ] 1 2 3 4

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Privatkunde

XP3NA7R2MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 7200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3NA7R2MT

MOSFETs N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.23 EUR
10+	0.9 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.32 EUR
6000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3NA7R2MT

Description: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.46 EUR
24+	0.9 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3NA7R2MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 7200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010AMT

Description: MOSFET P CH -30V 18.5A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010AMT

MOSFETs MOS P -30V -18.5A 10mOhm PMPAK5x6

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010H

MOSFETs MOS P -30V 10mOhm TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010H

Description: MOSFET P CH -30V 18.5A TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010I

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010M

Description: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 174 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 132 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010M

Description: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010M

Description: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 174 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 132 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010M

MOSFETs P-CH -30V -13 .3A SO-8

auf Bestellung 2989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.58 EUR
10+	0.99 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR
3000+	0.38 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010M

P-channel MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010M

Description: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.2 EUR
16+	1.38 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010YT

Description: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.71 EUR
20+	1.07 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010YT

Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

auf Bestellung 2998 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	2.02 EUR
260+	0.89 EUR
325+	0.65 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010YT

MOSFETs P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.69 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.39 EUR
6000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010YT

P-channel MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010YT

Description: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P010YT

Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

auf Bestellung 2998 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	2.02 EUR
260+	0.89 EUR
325+	0.65 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P011YT

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P020M

Description: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.19 EUR
29+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P020M

Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1.65 EUR
246+	0.95 EUR
364+	0.6 EUR
503+	0.43 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P020M

MOSFETs P-CH -30V -9. 3A SO-8

auf Bestellung 1717 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.95 EUR
10+	0.58 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P020M

Description: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P020M

Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1.65 EUR
246+	0.95 EUR
364+	0.6 EUR
503+	0.43 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P020M

P-channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P050AG

MOSFETs P-CH -30V -4. 1A SOT-89

auf Bestellung 2232 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.76 EUR
10+	0.46 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.2 EUR
2000+	0.18 EUR
5000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P050AG

Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V

auf Bestellung 288 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.27 EUR
27+	0.8 EUR
100+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P050AG

Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 185 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P050AG

Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P050AG

Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 185 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P050AM

Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P050AM

Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm

auf Bestellung 2882 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

253+	0.99 EUR
412+	0.56 EUR
461+	0.46 EUR
530+	0.4 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 253 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P050AM

P-channel MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P050AM

MOSFETs P-CH -30V -5. 8A SO-8

auf Bestellung 2845 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.83 EUR
10+	0.51 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.33 EUR
3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P050AM

Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V

auf Bestellung 992 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.76 EUR
20+	1.09 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P050AM

Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm

auf Bestellung 2882 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

253+	0.99 EUR
412+	0.56 EUR
461+	0.46 EUR
530+	0.4 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 253 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P055N

MOSFETs P-CH -30V -3. 9A SOT-23S

auf Bestellung 2935 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.87 EUR
10+	0.54 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.19 EUR
6000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P055N

Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P055N

Description: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	0.88 EUR
461+	0.5 EUR
863+	0.25 EUR
962+	0.23 EUR
1051+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 284 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P055N

Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V

auf Bestellung 840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.86 EUR
40+	0.54 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P055N

Description: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	0.88 EUR
461+	0.5 EUR
863+	0.25 EUR
962+	0.23 EUR
1051+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 284 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P080N

Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.88 EUR
39+	0.54 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P080N

Description: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	0.9 EUR
455+	0.51 EUR
863+	0.25 EUR
953+	0.23 EUR
1041+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 278 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P080N

Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P080N

Description: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	0.9 EUR
455+	0.51 EUR
863+	0.25 EUR
953+	0.23 EUR
1041+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 278 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P080N

MOSFETs P-CH -30V -3. 2A SOT-23S

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.88 EUR
10+	0.54 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P3R0MT

P-channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P3R0MT

Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V

auf Bestellung 976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.24 EUR
10+	3.39 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P3R0MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 3000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	2.84 EUR
112+	2.07 EUR
127+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P3R0MT

MOSFETs P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.81 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P3R0MT

Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P3R0MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 3000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.84 EUR
112+	2.07 EUR
127+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P7R0EM

Description: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
FET Type: P-Channel

auf Bestellung 268 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.18 EUR
16+	1.36 EUR
100+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P7R0EM

Description: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.88 EUR
139+	1.67 EUR
211+	1.01 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P7R0EM

P-channel MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P7R0EM

Description: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P7R0EM

Description: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2.88 EUR
139+	1.67 EUR
211+	1.01 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P7R0EM

MOSFETs P-CH -30V -15 .5A SO-8

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.5 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P7R0EMT

Description: MOSFET P CH -30V 22A PMPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3P7R0EMT

MOSFETs MOS P -30V -22A 7mOhm PMPAK5x6

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3R303GMT-L

MOSFETs N-CH 30V 31A PMPAK-5x6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.14 EUR
10+	3.45 EUR
100+	2.75 EUR
250+	2.53 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.96 EUR
3000+	1.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3R303GMT-L

Description: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3R303GMT-L

Description: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Wählen Sie Seite: [ << Vorherige Seite ] 1 2 3 4