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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RFP3008B&K PrecisionDescription: RF SENSOR RFM3000 SERIES
Part Status: Active
Tool Type: RF Sensor
For Use With/Related Products: RFM3000 Series
Packaging: Box
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RFP3008B&K PrecisionRF Test Equipment 8 GHz RF Power Sensor, Real-Time
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RFP3018B&K PRECISIONDescription: B&K PRECISION - RFP3018 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 18GHz, -34dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, N-Stecker, RFP3000
Prüffrequenz: 50MHz bis 18GHz
Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s
Leistungsmessbereich: -34dBm bis +20dBm
HF-Steckverbinder: N-Stecker
Produktpalette: RFP3000
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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RFP3018B&K PrecisionDescription: RF SENSOR RFM3000 SERIES
Part Status: Active
Tool Type: RF Sensor
For Use With/Related Products: RFM3000 Series
Packaging: Box
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RFP3018B&K PrecisionRF Test Equipment 18 GHz RF Power Sensor, Real-Time
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RFP3040B&K PRECISIONDescription: B&K PRECISION - RFP3040 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 40GHz, -34dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, 2.92mm-Stecker
Prüffrequenz: 50MHz bis 40GHz
Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s
Leistungsmessbereich: -34dBm bis +20dBm
HF-Steckverbinder: 2.92mm-Stecker
Produktpalette: RFP3000
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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RFP3040B&K PrecisionDescription: RF SENSOR RFM3000 SERIES
Part Status: Active
Tool Type: RF Sensor
For Use With/Related Products: RFM3000 Series
Packaging: Box
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RFP3055onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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RFP3055
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP3055onsemi / FairchildMOSFET Power MOSFET N-Ch 60V/12a/0.150 Ohm
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RFP3055LEonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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RFP3055LEFairchild
auf Bestellung 16595 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP30N06LEonsemiMOSFETs TO-220AB N-Ch Power
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RFP30N06LEonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
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RFP30N06LE
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP30N06LE_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS 60V/30A/0.047 OHM N-CH LOGIC-LVL ESD RATED TO-220A
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RFP30N06LE_Qonsemi / FairchildMOSFET TO-220AB N-Ch Power
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RFP30N6LER4541Harris CorporationDescription: 30A, 60V, LOGIC LEVEL N CHANNEL
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
666+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 666 Stücke
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RFP30P05INTERSIL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP30P05onsemi / FairchildMOSFETs TO-220AB P-Ch Power
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RFP30P05onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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RFP30P05ONS/FAIP-кан. MOSFET 60V, 27A, 0.07Ом, 120Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
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RFP30P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 30A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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RFP30P06FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP30P06onsemi / FairchildMOSFET TO-247 P-Ch Power
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RFP3118B&K PrecisionDescription: RF SENSOR RFM3000 SERIES
Part Status: Active
Tool Type: RF Sensor
For Use With/Related Products: RFM3000 Series
Packaging: Box
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RFP3118B&K PRECISIONDescription: B&K PRECISION - RFP3118 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 18GHz, -50dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, N-Stecker, RFP3000
Prüffrequenz: 50MHz bis 18GHz
Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s
Leistungsmessbereich: -50dBm bis +20dBm
HF-Steckverbinder: N-Stecker
Produktpalette: RFP3000
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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RFP3118B&K PrecisionRF Test Equipment 18 GHz RF Power Sensor, Real-Time
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RFP3140B&K PrecisionRF Test Equipment 40 GHz RF Power Sensor, Real-Time
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RFP3140B&K PrecisionDescription: RF SENSOR RFM3000 SERIES
Part Status: Active
Tool Type: RF Sensor
For Use With/Related Products: RFM3000 Series
Packaging: Box
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RFP3N45
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP3N45Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
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RFP40-100
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP40-100RE
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP40-33
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP40N10ONS/FAIMOSFET Transistor, N-Channel, 40A, 100V, TO-220AB Транзистори
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RFP40N10onsemiMOSFETs TO-220AB N-Ch Power
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RFP40N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
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RFP40N10
Produktcode: 56479
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Transistoren > MOSFET N-CH
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1+1.39 EUR
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RFP40N10LEonsemi / FairchildMOSFET
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RFP40N10LEFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 40A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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RFP40N10LE9ARenesas / IntersilMOSFET
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RFP40N10S5001Harris CorporationDescription: 40A, 100V, 0.04OHM, N CHANNEL, M
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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RFP40N10_F102Fairchild SemiconductorDescription: 40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
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RFP40N10_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS 100V/40A/0.040 OHM N-CH TO-220AB
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RFP40N10_Qonsemi / FairchildMOSFET TO-220AB N-Ch Power
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RFP40P06
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP4232PBFInternational RectifierТранзистори
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RFP425BPRINT-RITEDescription: PRINT-RITE - RFP425B - Farbfilm, kompatibel, schwarz - ersetzt Panasonic KX-FA52
Verbrauchsmaterialtyp: Kompatibel
Druckermarke: Panasonic
Typennummer Originalpatrone: KX-FA52
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RFP42N03
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP42N03LHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 42A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 63600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
243+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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RFP42N03LFAIRCHILDTO-220
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP45N02LHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
413+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
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RFP45N03
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP45N03LHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 41855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
284+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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RFP45N03L
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP45N03SM
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP45N06
auf Bestellung 5658 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP45N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP45N06LEHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
430+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
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RFP45N06LEonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP45N06_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP4N05Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 6728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
566+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 566 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP4N05Lonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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RFP4N05LFairchild SemiconductorDescription: 4A, 50V, 0.8OHM, N-CHANNEL MOSFE
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 523 Stücke
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RFP4N05LONSEMIDescription: ONSEMI - RFP4N05L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP4N06Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
626+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP4N100
auf Bestellung 5747 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP4N35Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP4N40Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
371+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50-30AMZ
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP500Brady CorporationDescription: (RFP) RFP500, PAD, 15"X19", LGT,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N03
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N05HARRISRFP50N05
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N05Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 14764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N05HARRISRFP50N05
auf Bestellung 3611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N05
auf Bestellung 33200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N05HARRISRFP50N05
auf Bestellung 6402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N05HARRISRFP50N05
auf Bestellung 1353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N05LonsemiMOSFETs 50V/50a/0.022Ohm NCh Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N05LonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 50A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N05L_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS 50V/50A/0.022 OHM N-CH LOGIC-LVL TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N05L_Qonsemi / FairchildMOSFET 50V/50a/0.022Ohm NCh Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06
Produktcode: 182601
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06ON-SemiconductorN-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06HARRISRFP50N06
auf Bestellung 1179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06ONSEMIDescription: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 131W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.4 EUR
75+3.13 EUR
100+2.51 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.53 EUR
36+2.4 EUR
40+2.17 EUR
50+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06
Produktcode: 182599
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
HarrisTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ом
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.59 EUR
50+2.78 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06HARRISRFP50N06
auf Bestellung 8046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06onsemiMOSFETs TO-220AB N-CH POWER
auf Bestellung 4492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+2.75 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06
Produktcode: 25146
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.39 EUR
10+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06ONS/FAITO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06HARRISRFP50N06
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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