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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SA20090SL/120VPANASONIC05+ SOT-323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA201NECCAN
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA2010PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP HF 15VCEO 2.5A MINI 3P
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2SA201000LPANASONICSOT-23
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA201000LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 15V 2.5A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 50mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 600 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2011-TD-EON Semiconductor2SA2011-TD-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
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2SA2011-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2011-TD-E - 2SA2011 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 6A 12V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2011-TD-EonsemiDescription: BIP PNP 6A 12V
Packaging: Bulk
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012onsemionsemi BIP PNP 5A 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 200...560
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 350MHz
Collector current: 5A
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+0.74 EUR
241+0.73 EUR
242+0.7 EUR
274+0.61 EUR
276+0.6 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 30V 5A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.77 EUR
240+0.71 EUR
241+0.68 EUR
242+0.65 EUR
274+0.55 EUR
276+0.52 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 30V 5A PCP
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 30V
auf Bestellung 11330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+1.38 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SA2013onsemi BIP PNP 4A 50V
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2SA2013-TDSANYO
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1380+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1380 Stücke
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2SA2013-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.19 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA2013-TD-EOn SemiconductorTRANS PNP 50V 4A SOT89-3 Транзистори
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2SA2013-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1380+0.48 EUR
10000+0.42 EUR
100000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1380 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 360MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA2013-TD-EONN
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E
Produktcode: 161290
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2014
Produktcode: 155135
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2014-PEN-TD
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2014-TD-EonsemiDescription: BIP PNP 9A 15V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2014-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2014-TD-E - 2SA2014 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 9A 15V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
349+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2014-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 15V 9A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
841+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 841 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2014-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 15V 9A 1300mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2015-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2015-TD-E - 2SA2015 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 8A 30V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2015-TD-EON Semiconductor2SA2015-TD-E
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
765+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
10000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 765 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2015-TD-EonsemiDescription: BIP PNP 8A 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
807+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 807 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016onsemionsemi BIP PNP 7A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E
Produktcode: 175899
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 7A 50V
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.42 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 200...560
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 290MHz
Collector current: 7A
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.54 EUR
87+0.98 EUR
117+0.73 EUR
132+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.63 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
158+1.48 EUR
190+1.13 EUR
239+0.89 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.11 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-EOn SemiconductorTRANS PNP 50V 7A SOT89-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
158+1.48 EUR
190+1.13 EUR
239+0.89 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.6 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.6 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SA2016-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.07 EUR
333+0.7 EUR
535+0.4 EUR
776+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTORS,SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SA2016-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.07 EUR
333+0.7 EUR
535+0.4 EUR
776+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018ROHMSOT-523
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
39+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTLROHMDescription: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.93 EUR
435+0.54 EUR
685+0.31 EUR
910+0.24 EUR
1015+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
551+0.52 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 551 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.81 EUR
354+0.48 EUR
563+0.29 EUR
758+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -500mA, Low frequency transistor
auf Bestellung 5734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
932+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 932 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTLROHMDescription: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.93 EUR
435+0.54 EUR
685+0.31 EUR
910+0.24 EUR
1015+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
354+0.5 EUR
563+0.31 EUR
758+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 354 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TLROHMDescription: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
438+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.65 EUR
438+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TLROHMDescription: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 414 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 45695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.95 EUR
306+0.56 EUR
484+0.33 EUR
649+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
817+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 817 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 5876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 45695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.33 EUR
3000+0.32 EUR
12000+0.24 EUR
24000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 12V 0.5A
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 45695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.57 EUR
484+0.36 EUR
648+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
21000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TLROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 270...680
Frequency: 260MHz
Polarisation: bipolar
Case: SC75A; SOT416
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 45695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.95 EUR
306+0.56 EUR
484+0.33 EUR
648+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 4593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
817+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 817 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA202NECCAN
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2022SanyoDescription: TRANS PNP 50V 7A TO-220ML
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
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606+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
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2SA2022SANYO
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2SA2022Sanyo ElectricTrans GP BJT PNP 50V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
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842+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 842 Stücke
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2SA2023ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2023 - 2SA2023, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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239+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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2SA2023onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 26400 Stücke:
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761+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 761 Stücke
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2SA2023SANYOTO-126F
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2SA2029ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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2SA2029ROHM
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2SA2029 FS6T2L QROHMSOT23/SOT323
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2SA2029 T2L QROHMSOT23/SOT323
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2SA2029 T2lQROHM
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