Produkte > BUK
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| BUK963R1-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK963R1-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK963R1-40E,118 | Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK963R2-40B | Nexperia USA Inc. | Description: PFET, 100A I(D), 40V, 0.0035OHM, Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK963R2-40B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10502 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK963R2-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 222A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2739 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK963R2-40B,118 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK963R2-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 222A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK963R240B | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK963R3-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK963R3-60E,118 | Nexperia | MOSFETs SOT404 N-CH 60V 120A | auf Bestellung 6986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK963R3-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 293W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13490 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK963R3-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 293W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13490 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9640 | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9640-100A | PHILIPS | 09+ | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK9640-100A | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK9640-100A,118 | Nexperia | MOSFETs BUK9640-100A/SOT404/D2PAK | auf Bestellung 3219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9640-100A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9640-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9640-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9640-100A,118 Produktcode: 179942
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| BUK9640-100A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 61522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9640-100A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9640-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9640-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9640-100A,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 159A Power dissipation: 158W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9640-100A/C1,118 | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9640-100A - N-CHANNEL TRENCHM Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 35251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9640-100A/C1,118 | Nexperia | BUK9640-100A/C1,118 | auf Bestellung 729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9640-100A/C1,118 | Nexperia | BUK9640-100A/C1,118 | auf Bestellung 10636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9640-100A118 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK9640-100A - POWE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK9640100A | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK964R1-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R1-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R1-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R1-40E,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 609A; 182W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 75A Pulsed drain current: 609A Power dissipation: 182W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R1-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R1-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R1-40E,118 | Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R1-40E118 | Rochester Electronics, LLC | Description: NOW NEXPERIA BUK964R1-40E - POWE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-55B Produktcode: 179529
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| BUK964R2-55B | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-55B | PHILIPS | TO-263 | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10220 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-55B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R2-55B,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 765A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Pulsed drain current: 765A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-55B,118 | Nexperia | MOSFETs BUK964R2-55B/SOT404/D2PAK | auf Bestellung 2209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R2-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R2-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R2-55B,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-55B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R2-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R2-55B/C | NXP Semiconductors | BUK964R2-55B/C | auf Bestellung 2636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R2-55B/C | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 2636 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R2-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R2-60E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK964R2-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00346 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 263 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 Verlustleistung: 263 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00346 Rds(on)-Prüfspannung: 5 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00346 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R2-60E,118 | Nexperia | MOSFET BUK964R2-60E/SOT404/D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R2-80E,118 | Nexperia | MOSFETs SOT404 N-CH 80V 120A | auf Bestellung 708 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R2-80E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17130 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R2-80E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-80E,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 732A; 349W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 732A Power dissipation: 349W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 123nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-80E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK964R2-80E,118 - MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R2-80E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17130 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R2-80E118 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK964R2-80E - POWE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R255B | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK964R4-40B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7124 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V | auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R4-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 174A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R4-40B,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 697A; 254W Mounting: SMD Pulsed drain current: 697A Power dissipation: 254W Gate charge: 64nC Polarisation: unipolar Drain current: 75A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±15V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; SOT404 On-state resistance: 8.3mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R4-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R4-40B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK964R4-40B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 75 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 254 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 254 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R4-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 174A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R4-40B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7124 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R4-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R4-40B,118 | Nexperia | MOSFETs BUK964R4-40B/SOT404/D2PAK | auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R4-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R4-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 174A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R440B | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK964R7-80E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK964R7-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0045 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 Verlustleistung: 324 Bauform - Transistor: SOT-404 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R7-80E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK964R7-80E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.1 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 324W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R7-80E,118 | Nexperia | MOSFET BUK964R7-80E/SOT404/D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R7-80E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R7-80E,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 667A; 324W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 667A Power dissipation: 324W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 11.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R7-80E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.1 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 324W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R8-60E,118 | Nexperia | MOSFET BUK964R8-60E/SOT404/D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R8-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK964R8-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R8-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK964R8-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK965R4-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK965R4-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4483 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK965R4-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK965R4-40E,118 | Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK965R4-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4483 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK965R4-40E,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK965R8-100E | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK965R8-100E Transistor Produktcode: 197349
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| BUK965R8-100E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK965R8-100E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BUK965R8-100E,118 | Nexperia | MOSFETs DPAK 100V 120A N-CH TRNCH | auf Bestellung 3030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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