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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SD2654ROHM10+/04+R SOT-523
auf Bestellung 585000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654 TL WROHMSOT23
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654-VROHM06+ SOT-523
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654/WROHMSOT-523
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654E3TLVROHMDescription: ROHM - 2SD2654E3TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654E3TLVROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 50V 150mA, High hFE & Muting Transistor
auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654E3TLVRohm Semiconductor2SD2654E3TLV
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654E3TLVROHMDescription: ROHM - 2SD2654E3TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654E3TLVRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 6570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
35+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654E3TLVRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654E3TLVRohm Semiconductor2SD2654E3TLV
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLROHM
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLVRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
29+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLVRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+0.31 EUR
597+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLVROHMDescription: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLVRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
532+0.64 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 532 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLVRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLVROHMDescription: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLVRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLVRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLVROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA
auf Bestellung 4759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLWRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLWROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN
auf Bestellung 9291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLWRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
33+0.65 EUR
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2654TLW/BJWROHMSOT-523
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2655(WM)
Produktcode: 102232
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8542399000
8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2655WM-TL-ERENESAS09+
auf Bestellung 57018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656ROHM06+ SOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656FRAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656FRAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
43+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656FRAT106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-323 1A 270 to 680hFE 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656FRAT106ROHMDescription: ROHM - 2SD2656FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 200
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656FRAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656FRAT106ROHMDescription: ROHM - 2SD2656FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 270
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656T106Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
34+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656T106Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656T106ROHMDescription: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656T106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656T106Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.42 EUR
468+0.37 EUR
568+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2656T106ROHMDescription: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657ROHMSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657 FSATLROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657KT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1.5A; 200mW; SC59,SOT346
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC59; SOT346
Power dissipation: 0.2W
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 270...680
Frequency: 330MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657KT146Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
932+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 932 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657KT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SMT3
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
29+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657KT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 1.5A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.76 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657KT146Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 5044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
602+0.3 EUR
607+0.29 EUR
1452+0.12 EUR
1475+0.11 EUR
2000+0.11 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 602 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657KT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SMT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657KT146Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A TSMT3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 1.5A
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+1.23 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657TLROHMDescription: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.75 EUR
234+1 EUR
356+0.61 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
907+0.19 EUR
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 907 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A TSMT3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 2671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2657TLROHMDescription: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.75 EUR
234+1 EUR
356+0.61 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD266TOS01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2660
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2661T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 2A MPT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2661T100ROHMDescription: ROHM - 2SD2661T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
198+1.18 EUR
289+0.74 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2661T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 12V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2661T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2661T100ROHMDescription: ROHM - 2SD2661T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
198+1.18 EUR
289+0.74 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2662ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2662 T100ROHMSOT89
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2662T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2662T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2662T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2662T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2662T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
620+0.29 EUR
643+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 620 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD267TOS01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2670TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 3A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2670TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 3A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2670TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 3A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2670TLROHMDescription: ROHM - 2SD2670TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 3 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 270
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
235+0.99 EUR
315+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2670TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2671ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2671ROHMSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2671TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2671TLROHMDescription: ROHM - 2SD2671TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
188+1.24 EUR
287+0.75 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2671TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2671TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 2A
auf Bestellung 2456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2671TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+1.4 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2671TLROHMDescription: ROHM - 2SD2671TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
188+1.24 EUR
287+0.75 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2671TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2672TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 4A
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2SD2672TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 4A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
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2SD2672TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 4A TSMT3
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2SD2672TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 4A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
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2SD2673ROHMSOT23
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2SD2673 TLROHM09+
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2SD2673-TLROHMSOT23
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2SD2673TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 3A
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2SD2673TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A TSMT3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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