Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| IRF6665TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TR1 | IRF6665TR1 Транзисторы HEXFRED | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6665TR1PBF | IOR | 2006 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TR1PBF | International Rectifier | N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | IRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 5752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio | auf Bestellung 4644 Stücke: Lieferzeit 458-462 Tag (e) |
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| IRF6665TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 42W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 4780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | IRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 1590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET SH Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 4780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | IRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 633870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TR1 | Infineon / IR | MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TR1PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 80V 55A 15mOhm 22nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TR1PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 8393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 3060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 14138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 7461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 5100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 3795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC | auf Bestellung 7254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6674TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6674TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6674TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6674TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6674TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC | auf Bestellung 8141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6674TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage Verlustleistung: 89 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6674TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6674TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | auf Bestellung 13524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6674TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6674TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 67 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 89 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 89 Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6674TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6678 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6678 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MX | auf Bestellung 4835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6678TR1 | IOR | 05+ | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6678TR1 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6678TR1 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6678TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6678TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6678TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6691 | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6691 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6691 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6691 | IR | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6691PBF | IOR | 2007 | auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6691TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6691TR1 | IOR | 2007 | auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6691TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6691TR1PBF | IOR | 2007 | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6691TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6691TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF66L8-25 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools DIRECTFET-LV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF66MN-25 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools DIRECTFET-LV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF66MX-25 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools DIRECTFET-LV | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF66MZ-25 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools DIRECTFET-LV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF66S1-25 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools DIRECTFET-LV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6702M2DTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6702M2DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6706S2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric S1 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6706S2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric S1 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V | auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6706S2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6708S2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6708S2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6709S2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric S1 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 13 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6709S2TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 8.1nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6709S2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric S1 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 13 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6710S2PBF | IOR | 2007 | auf Bestellung 694 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6710S2PBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6710S2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 37A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric S1 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6710S2TR1PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6710S2TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 8.8nC | auf Bestellung 2904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6710S2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 37A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric S1 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6711STR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6711STRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6712STR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6712STR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6712STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET | auf Bestellung 4760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6712STRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R | auf Bestellung 4600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6712STRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 36W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: DirectFET SQ Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6712STRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R | auf Bestellung 4238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6712STRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6712STRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |