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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.71 EUR
10+3.72 EUR
100+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.3 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBFInfineon
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBF
Produktcode: 87232
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 10852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.08 EUR
84+1.99 EUR
85+1.88 EUR
87+1.78 EUR
100+1.68 EUR
250+1.58 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.48 EUR
3000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.46 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 10852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.08 EUR
84+2.02 EUR
85+1.95 EUR
87+1.88 EUR
100+1.82 EUR
250+1.77 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ
auf Bestellung 3688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+5.49 EUR
100+4.4 EUR
500+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
82+2.83 EUR
100+2.52 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665IRF6665 Транзисторы HEXFRED
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665Infineon TechnologiesMOSFETs DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Packaging: Tube
Package / Case: DirectFET™ Isometric SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TR1IRF6665TR1 Транзисторы HEXFRED
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TR1PBFIOR2006
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TR1PBFInternational RectifierN-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TRPBFInfineon TechnologiesIRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
617+1.05 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 617 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
80+2.93 EUR
108+1.99 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TRPBFInfineon TechnologiesIRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 633870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
617+1.05 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 617 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 42W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
108+1.99 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TRPBFInfineon TechnologiesIRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 5752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
617+1.05 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 617 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 458-462 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.51 EUR
100+1.94 EUR
500+1.65 EUR
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TR1Infineon / IRMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TR1PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 80V 55A 15mOhm 22nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.77 EUR
106+1.61 EUR
109+1.52 EUR
120+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.51 EUR
56+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.18 EUR
84+2.02 EUR
100+1.81 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.38 EUR
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.4 EUR
61+3.86 EUR
100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 7461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+1.83 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.68 EUR
102+1.64 EUR
200+1.57 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.51 EUR
4800+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6668TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
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216+2.55 EUR
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IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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48+3.61 EUR
53+3.21 EUR
55+3.03 EUR
100+2.39 EUR
250+2.28 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.36 EUR
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IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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352+1.83 EUR
500+1.74 EUR
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IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
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1+4.24 EUR
10+2.93 EUR
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IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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56+3.12 EUR
63+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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97+1.77 EUR
106+1.57 EUR
109+1.48 EUR
120+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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IRF6668TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 181 Stücke:
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100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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140+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF6668TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Mounting: SMD
Case: DirectFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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4800+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6674TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC
auf Bestellung 8141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+3.71 EUR
100+2.93 EUR
500+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 67
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.19 EUR
40+4.32 EUR
50+3.55 EUR
100+3.28 EUR
200+3.21 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.63 EUR
2000+2.57 EUR
4800+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 13524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+3.52 EUR
100+2.78 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MX
auf Bestellung 4835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.03 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TR1IOR05+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691Infineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691IR
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691PBFIOR2007
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TR1IOR2007
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TR1PBFIOR2007
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF66L8-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF66MN-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF66MX-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF66MZ-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF66S1-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6702M2DTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6702M2DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6706S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
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IRF6706S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
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IRF6706S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
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IRF6708S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
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IRF6708S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
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IRF6709S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 13 V
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IRF6709S2TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 8.1nC
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IRF6709S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 13 V
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IRF6710S2PBFIOR2007
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