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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.07 EUR
53+2.73 EUR
55+2.58 EUR
100+2.03 EUR
250+1.94 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.63 EUR
10+2.55 EUR
100+1.93 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
2000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 8393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+1.56 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.65 EUR
63+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.51 EUR
106+1.34 EUR
109+1.25 EUR
120+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 3060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.51 EUR
106+1.37 EUR
109+1.3 EUR
120+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.98 EUR
56+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 67
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.26 EUR
40+3.67 EUR
50+3.01 EUR
100+2.79 EUR
200+2.73 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.23 EUR
2000+2.19 EUR
4800+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 67A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 67A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 13524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.66 EUR
10+2.96 EUR
100+2.34 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC
auf Bestellung 8141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.7 EUR
10+3.12 EUR
100+2.46 EUR
500+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MX
auf Bestellung 4835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+2.58 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TR1IOR05+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6678TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691Infineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691IR
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691PBFIOR2007
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TR1IOR2007
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TR1PBFIOR2007
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6691TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF66L8-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF66MN-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF66MX-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF66MZ-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF66S1-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6702M2DTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6702M2DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6706S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6706S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
13+1.41 EUR
100+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6706S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6708S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6708S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6709S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6709S2TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 8.1nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6709S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6710S2PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6710S2PBFIOR2007
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6710S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6710S2TR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6710S2TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 8.8nC
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6710S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6711STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6711STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
281+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+1.2 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.1 EUR
10+2.68 EUR
100+2.24 EUR
250+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+1.2 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 4238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.82 EUR
181+0.78 EUR
184+0.74 EUR
187+0.7 EUR
190+0.66 EUR
250+0.62 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 4238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.81 EUR
184+0.79 EUR
187+0.76 EUR
190+0.73 EUR
250+0.71 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.66 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6713STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6713STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6713STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+1.66 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+1.66 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.9 EUR
92+1.54 EUR
100+1.36 EUR
103+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6714MTRPBF - IRF6714 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 57902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 288 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 56738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
203+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.59 EUR
100+1.45 EUR
103+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+1.66 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
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IRF6715MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
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IRF6715MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
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IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
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IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
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IRF6715MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
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