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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SA2153-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2153-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
245+0.95 EUR
379+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
998+0.64 EUR
1082+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 998 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 420MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.67 EUR
396+0.43 EUR
518+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 26900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2110+0.31 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-EON Semiconductor
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.3 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2153-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
245+0.95 EUR
379+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.06 EUR
257+0.64 EUR
396+0.4 EUR
518+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-GR(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT 100mA -50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-GR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-GR,L3FToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 145503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.094 EUR
10000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-GR,L3FToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin CST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-GR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
auf Bestellung 15620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
110+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-GR,L3F(BToshiba2SA2154CT-GR,L3F(B
auf Bestellung 9480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
798+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 798 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-GR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CST
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+0.67 EUR
484+0.48 EUR
1129+0.19 EUR
1433+0.15 EUR
1681+0.13 EUR
5000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-GR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+0.67 EUR
484+0.48 EUR
1129+0.19 EUR
1433+0.15 EUR
1681+0.13 EUR
5000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-GR,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 50000mW 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-Y(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-Y(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT 100mA -50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-Y,L3F(BToshiba2SA2154CT-Y,L3F(B
auf Bestellung 260000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6397+0.1 EUR
10000+0.088 EUR
100000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 6397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-Y,L3F(BToshiba2SA2154CT-Y,L3F(B
auf Bestellung 350000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6397+0.1 EUR
10000+0.088 EUR
100000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 6397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154CT-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
579+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFVToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-GRTOSHIBASOT23
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-GR(TPL3ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1158+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-GR(TPL3ToshibaBipolar Transistors - BJT -150mA -50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-GR(TPL3Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-YTOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 6363 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y(TPL3)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1042+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1042 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT -150mA -50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3FToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3FToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT723 50V
auf Bestellung 7890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.32 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.069 EUR
5000+0.055 EUR
8000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 14616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
107+0.2 EUR
172+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
2000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3F(BToshiba2SA2154MFV-Y,L3F(B
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2632+0.065 EUR
2711+0.063 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2632 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.045 EUR
24000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 8045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3096+0.056 EUR
3390+0.05 EUR
3402+0.049 EUR
8000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3096 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 2425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2101+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
3226+0.067 EUR
4000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
739+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 739 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.045 EUR
24000+0.036 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 8045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2866+0.06 EUR
3125+0.055 EUR
3135+0.052 EUR
8000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 2866 Stücke
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2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 5695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2882+0.06 EUR
3145+0.054 EUR
3165+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 2882 Stücke
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2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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2SA2154MFV-Y,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
3226+0.067 EUR
4000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
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2SA2154MFV-YL3F(TToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFVGR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFVGR,L3FToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT723 50V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.32 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.069 EUR
5000+0.055 EUR
8000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFVGR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
107+0.2 EUR
172+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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2SA2154MFVGR,L3F(BToshiba2SA2154MFVGR,L3F(B
auf Bestellung 7800 Stücke:
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2850+0.061 EUR
2942+0.057 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 2850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFVGR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFVGR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1334+0.18 EUR
2160+0.099 EUR
2959+0.073 EUR
3788+0.057 EUR
5000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFVGR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFVGR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1334+0.18 EUR
2160+0.099 EUR
2959+0.073 EUR
3788+0.057 EUR
5000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFVGR,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 4834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2119+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2119 Stücke
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2SA2154MFVGR,LXG(TToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2154MFVGR,LXG(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6370+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 6370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA216NECCAN
auf Bestellung 627 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2160ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2160EROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2161G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2161G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2161J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2161J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA216200LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SSSMini3-F1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 100 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA216200LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI3
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SSSMini3-F1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2162G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2162G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA216300APanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.03A ML3-N2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: ML3-N2
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 100 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA216400LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.03A SSSMINI3
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SSSMini3-F1
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169onsemi BIP PNP 10A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 10A TP
Power - Max: 950 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 50V
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 10A 950mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-H-TL-Eonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-H-TL-ESANYO08+ TO-252
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-H-TL-EonsemiDescription: IC REG LINEAR
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-H-TL-EXonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 50V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 20
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 10A TP-FA
Power - Max: 950 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-TL-EONN
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2169-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA217NECCAN
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2174G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2174G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2174J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2174J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA218
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2180ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2180 - 2SA2180, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
381+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2180onsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TO-220ML
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220ML
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 125mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 125mA, 2.5A
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 826 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2180SanyoDescription: TRANS PNP 50V 5A TO-220ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 125mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 826 Stücke
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2SA2182 (Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2182 (Q)ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2182 (STA4, Q)Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2182 (STA4, Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2182(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP 230V 1A Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
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