Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| IRF6726MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V | auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6726MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX | auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6726MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R | auf Bestellung 9501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6726MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6726MTRPBFTR | International Rectifier | Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6727MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6727MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6727MTR1PBF | Infineon | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 9069 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6727MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6727MTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET Kind of package: reel Case: DirectFET Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 89W Drain current: 180A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC | auf Bestellung 1387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 80400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V | auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6727MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6727MTRPBF Produktcode: 204365
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| IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6728L2PBF | IOR | 2007 | auf Bestellung 1186 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6728MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6728MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6728MTRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 28nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6728MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6729MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6729MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6729MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6729MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6729MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6740S2TRPBF | IOR | 2007 | auf Bestellung 2630 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6775MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6775MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6775MTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 28A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6775MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 1649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6775MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 9312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6775MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6775MTRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 3390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6775MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6775MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6775MTRPBF | International Rectifier | Description: IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW | auf Bestellung 3327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6775MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6775MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 9312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6775MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6775MTRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | IR FET >60-400V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6785MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6785MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | auf Bestellung 8705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 11932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 4010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 81600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: -Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 6606 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 4010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 81600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 14165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 4482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 14165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: -Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 37191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6794MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 13 V | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6794MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 13 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6795MTR1PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6795MTR1PBF | Infineon / IR | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6795MTR1PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6795MTR1PBF | Infineon | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6795MTR1PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6795MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6795MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 4299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6795MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6795MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 4142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6795MTRPBF | International Rectifier | Description: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V | auf Bestellung 36656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6795MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6795MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 4299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6795MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 2757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6795MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC | auf Bestellung 2649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6795MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6795MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6795MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 75W Kanaltyp: n-Kanal + Schottky euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 4142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6797MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6797MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6797MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 13 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6797MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS MAX | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6797MTRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6797MTRPBF - IRF6797 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 16950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6798MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6798MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6798MTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF67MA-25 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools DIRECTFET-LV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6802SDTR1PBF | Infineon / IR | MOSFET 25V Dual Control FET in S- Can | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6802SDTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6802SDTRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin Direct-FET SA T/R | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6802SDTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 25V Dual Control FET in S- Can | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6802SDTRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA Part Status: Active | auf Bestellung 5145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6802SDTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin Direct-FET SA T/R | auf Bestellung 3583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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