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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF6728L2PBFIOR2007
auf Bestellung 1186 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6728MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6728MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6728MTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 28nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6728MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6729MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6729MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6729MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6729MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6729MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6740S2TRPBFIOR2007
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 1649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
315+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 315 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
315+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 315 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 1822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.16 EUR
128+1.1 EUR
130+1.05 EUR
132+0.99 EUR
250+0.93 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 1822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.14 EUR
130+1.11 EUR
132+1.07 EUR
250+1.03 EUR
500+1 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
auf Bestellung 5701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.94 EUR
10+2.11 EUR
100+1.61 EUR
250+1.53 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.38 EUR
112+1.29 EUR
114+1.24 EUR
2000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 2081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
315+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 315 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 4482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+1.94 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 14165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.74 EUR
85+1.6 EUR
100+1.53 EUR
250+1.46 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.32 EUR
6000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.12 EUR
10+3.85 EUR
2500+1.9 EUR
4800+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 37191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+1.94 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 11932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+1.94 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 4010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 81600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 6606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+1.94 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 4010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 81600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 14165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.74 EUR
85+1.66 EUR
100+1.62 EUR
250+1.59 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.51 EUR
3000+1.5 EUR
6000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 8705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.69 EUR
10+2.05 EUR
100+1.79 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.6 EUR
2000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6794MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 13 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.88 EUR
10+4.55 EUR
100+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6794MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTR1PBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTR1PBFInfineon
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+0.9 EUR
9600+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+0.86 EUR
9600+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 160A; 75W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 160A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 75W
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
auf Bestellung 36656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
267+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
auf Bestellung 2649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+4.15 EUR
100+3.47 EUR
250+2.97 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.2 EUR
4800+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 4299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+0.97 EUR
153+0.95 EUR
154+0.92 EUR
156+0.89 EUR
250+0.87 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+1.86 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 4299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.46 EUR
151+0.94 EUR
153+0.89 EUR
154+0.85 EUR
156+0.81 EUR
250+0.77 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.72 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 2757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+1.86 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6797MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6797MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6797MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6797MTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6797MTRPBF - IRF6797 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6797MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6798MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6798MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6798MTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF67MA-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6802SDTR1PBFInfineon / IRMOSFET 25V Dual Control FET in S- Can
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6802SDTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6802SDTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA
Part Status: Active
auf Bestellung 5145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
233+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6802SDTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin Direct-FET SA T/R
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin Direct-FET SA T/R
auf Bestellung 3583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+1.88 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6802 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
233+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V Dual Control FET in S- Can
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IRF6802SDTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin Direct-FET SA T/R
auf Bestellung 597 Stücke:
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292+1.88 EUR
500+1.67 EUR
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IRF6810STR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N CH 25V 16A S1
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IRF6810STR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N CH 25V 16A S1
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IRF6810STR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N CH 25V 16A S1
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IRF6810STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET DirectFET
auf Bestellung 4786 Stücke:
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IRF6810STRPBFInternational RectifierDescription: PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET S1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 13 V
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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IRF6811STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF6811STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
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IRF6811STR1PBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC
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IRF6811STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 19A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.82 EUR
184+0.77 EUR
185+0.73 EUR
187+0.7 EUR
193+0.65 EUR
250+0.62 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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IRF6811STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Vgs (Max): ±16V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
auf Bestellung 35276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
430+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
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IRF6811STRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC
auf Bestellung 5259 Stücke:
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IRF6811STRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 74A; 32W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 74A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Technology: HEXFET®
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6811STRPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: DIRECTFET PLUS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
auf Bestellung 3676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
430+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
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IRF6892STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 28A S3
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IRF6892STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 28A S3
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF6892STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 17nC
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF6892STRPBFInternational RectifierDescription: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
392+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
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