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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK9M6R7-40HXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.56 EUR
1500+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40E,115Nexperia USA Inc.Description: BUK9M7R2-40E - N-CHANNEL 40V, LO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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BUK9M7R2-40EXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 70A
auf Bestellung 10 Stücke:
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2+2.51 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.62 EUR
1500+0.57 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
913+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 913 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2567 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 360 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
913+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 913 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2567 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
18+1.2 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60ENexperia USA Inc.Description: BUK9M85-60E - N-CHANNEL 60 V, 85
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M85-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12.8 A, 0.059 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.56 EUR
240+0.96 EUR
339+0.63 EUR
379+0.57 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
25+0.87 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperiaMOSFETs N-channel 40 V, 8.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33
auf Bestellung 8685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.25 EUR
10+0.93 EUR
100+0.68 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.4 EUR
1500+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M8R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M8R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.58 EUR
306+0.56 EUR
309+0.52 EUR
312+0.5 EUR
411+0.37 EUR
415+0.35 EUR
514+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M8R5-40HXNexperiaMOSFETs N-channel 40 V, 9.1 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M8R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M8R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 2944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
457+0.38 EUR
464+0.37 EUR
472+0.36 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.64 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 2944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45.5A
Pulsed drain current: 258A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperiaMOSFETs N-channel 40 V, 9.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+0.98 EUR
100+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
18+1.23 EUR
100+0.95 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
auf Bestellung 3212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 40A
auf Bestellung 32050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.54 EUR
100+0.96 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.64 EUR
9000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MFF-65PSSNexperiaNexperia
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MFF-65PSS,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 13.6A 20SO
Supplier Device Package: 20-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3052pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Power - Max: 4.75W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MGP-55PTS,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 55V 16.9A 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Tc), 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc), 9.16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 5V, 23nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MHH-65PNNNexperia
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MHH-65PNN,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 15A 20SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 20-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.6nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3643pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJJ-55PSSNexperiaNexperia
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJJ-55PSS/A,51Nexperia USA Inc.Description: 55V N CH TRENCHFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJJ-55PTT,518Nexperia USA Inc.Description: 9648 MISC TRENCHFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJJ-65PLL,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 11.6A 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJJ55PSSNXP
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJT-55PRF,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 55V 20SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 20-SO
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MLL-55PLL,518Nexperia USA Inc.Description: DIODE 9648 MISC 20SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MMM-55PNN/A,51Nexperia USA Inc.Description: 55V N CH TRENCHFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MMM55PNNNXP
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MNN-65PKKNexperiaNexperia
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MNN-65PKK,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 7.1A 20SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 20-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.8mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Power - Max: 3.57W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MPP-55PRR,518Nexperia USA Inc.Description: DIODE 9605 MISC 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MPP-65PLLNexperia
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MPP-65PLL,518Nexperia USA Inc.Description: TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MRR-55PGG/A,51Nexperia USA Inc.Description: 55V N CH TRENCHFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MRR-65PKK,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 4.8A 20SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 20-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60.7mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Power - Max: 3.2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MTT-65PBB,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 3.8A 20SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90.4mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Power - Max: 3.15W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 20-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q12-40HJNexperia USA Inc.Description: LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
43+0.49 EUR
53+0.4 EUR
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q12-40HJNexperia USA Inc.Description: LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q16-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q16-100L/SOT8002 /MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q17-80LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q17-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q17-80LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q19-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q19-100L/SOT8002 /MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q22-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q22-80L/SOT8002/MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q25-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q25-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q25-100L/SOT8002 /MLPAK33
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q25-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q29-60EJNexperiaMOSFETs BUK9Q29-60E/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.01 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q34-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q34-80L/SOT8002/ MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q45-80LNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Q45-80L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.045 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.3W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
166+1.4 EUR
256+0.84 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q45-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q45-80L/SOT8002/ MLPAK33
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.36 EUR
100+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q4R6-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3645 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q4R6-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3645 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q4R6-40HJNexperiaMOSFETs BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.27 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.45 EUR
9000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q7R0-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Q7R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62 A, 7000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
115+2.02 EUR
185+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q7R0-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Q7R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62 A, 7000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
115+2.02 EUR
185+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9R4R5-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.52 EUR
50+1.13 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9R4R5-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9R4R5-40HJNexperiaMOSFETs BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.52 EUR
50+1.13 EUR
100+1 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNXPTransistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Substitute: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX; BUK9V13-40HX TBUK9V13-40HX
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNexperiaMOSFETs BUK9V13-40H/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 4022 Stücke:
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2+3.06 EUR
10+2.01 EUR
100+1.52 EUR
500+1.24 EUR
1500+0.96 EUR
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9V13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.01135 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 42
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A Automotive 8-Pin LFPAK-D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9V13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
99+2.37 EUR
136+1.58 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y07-30B,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+2.03 EUR
100+1.58 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y07-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y07-30B115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9Y07-30B - POWER
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40BNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115
Produktcode: 144565
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NexperiaTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-669
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 75 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0069 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2150/30
Montage: SMD
auf Bestellung 51 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+7.25 EUR
10+6.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 53A; Idm: 300A; 105.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 105.3W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y09-40B/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 3624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.95 EUR
1500+0.93 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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