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BUK9M67-60ELXNexperiaMOSFETs BUK9M67-60EL/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.29 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.44 EUR
1500+0.42 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M67-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43.8mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M67-60ELXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
670+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 670 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M67-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M67-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.68 EUR
106+2.19 EUR
171+1.25 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R0-40HXNexperiaMOSFETs BUK9M6R0-40H/SOT1210/mLFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R0-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
50+1.06 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R0-40HXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 311A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 70W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R0-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R6-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2001 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R6-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 54.7A; Idm: 309A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 54.7A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R6-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R6-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2001 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
50+1.14 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R6-30EXNexperiaMOSFETs BUK9M6R6-30E/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 1336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
1500+0.63 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R7-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2054 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R7-40HXNexperiaMOSFETs BUK9M6R7-40H/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R7-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2054 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2.06 EUR
50+1.55 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M6R7-40HXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 282A
Power dissipation: 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40E,115Nexperia USA Inc.Description: BUK9M7R2-40E - N-CHANNEL 40V, LO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2567 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 52A; Idm: 296A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2567 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
50+1.05 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperiaMOSFETs BUK9M7R2-40E/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.11 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.65 EUR
1500+0.62 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60ENexperia USA Inc.Description: BUK9M85-60E - N-CHANNEL 60 V, 85
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 51A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M85-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12.8 A, 0.073 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.95 EUR
264+0.88 EUR
280+0.76 EUR
317+0.68 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 12.8A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
50+0.75 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M85-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12.8 A, 0.073 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.95 EUR
264+0.88 EUR
280+0.76 EUR
317+0.68 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperiaMOSFETs BUK9M85-60E/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 5621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+0.75 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 12.8A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M85-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M8R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M8R5-40HXNexperiaMOSFETs BUK9M8R5-40H/SOT1210/mLFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M8R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
50+1 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M8R5-40HXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 239A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 239A
Power dissipation: 59W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 21.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M8R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.42 EUR
3000+0.38 EUR
4500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45.5A
Pulsed drain current: 258A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 18.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.42 EUR
3000+0.38 EUR
4500+0.36 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.44 EUR
412+0.43 EUR
416+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperiaMOSFETs BUK9M9R1-40E/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.98 EUR
10+0.92 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
1500+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
50+0.9 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R1-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.44 EUR
406+0.43 EUR
409+0.4 EUR
412+0.38 EUR
416+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNexperiaMOSFETs BUK9M9R5-40H/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 28505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.3 EUR
100+0.96 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38.5A; Idm: 218A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 38.5A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 23.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M9R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
13+1.73 EUR
50+1.29 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MFF-65PSSNexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MFF-65PSS,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 13.6A 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3052pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MGP-55PTS,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 55V 16.9A 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Tc), 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc), 9.16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 5V, 23nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MHH-65PNNNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MHH-65PNN,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 15A 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3643pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJJ-55PSSNexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJJ-55PSS/A,51Nexperia USA Inc.Description: 55V N CH TRENCHFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJJ-55PTT,518Nexperia USA Inc.Description: 9648 MISC TRENCHFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJJ-65PLL,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 11.6A 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJJ55PSSNXP
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MJT-55PRF,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 55V 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MLL-55PLL,518Nexperia USA Inc.Description: DIODE 9648 MISC 20SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MMM-55PNN/A,51Nexperia USA Inc.Description: 55V N CH TRENCHFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MMM55PNNNXP
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MNN-65PKKNexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MNN-65PKK,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 7.1A 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.8mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MPP-55PRR,518Nexperia USA Inc.Description: DIODE 9605 MISC 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MPP-65PLLNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MPP-65PLL,518Nexperia USA Inc.Description: TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MRR-55PGG/A,51Nexperia USA Inc.Description: 55V N CH TRENCHFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MRR-65PKK,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 4.8A 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9MTT-65PBB,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 3.8A 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90.4mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q12-40HJNexperia USA Inc.Description: LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
43+0.49 EUR
53+0.4 EUR
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q12-40HJNexperia USA Inc.Description: LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q16-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q16-100L/SOT8002 /MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q17-80LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q17-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q17-80LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q19-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q19-100L/SOT8002 /MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q22-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q22-80L/SOT8002/MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q25-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q25-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.33 EUR
50+0.99 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q25-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q29-60EJNexperiaMOSFETs BUK9Q29-60E/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.01 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q34-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q34-80L/SOT8002/ MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q45-80LNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Q45-80L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.045 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.3W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
166+1.4 EUR
256+0.84 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q45-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q45-80L/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q4R6-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3645 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q4R6-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3645 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q4R6-40HJNexperiaMOSFETs BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.27 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.45 EUR
9000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q50-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q50-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q50-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
50+0.75 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q7R0-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Q7R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62 A, 7000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.05 EUR
198+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q7R0-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Q7R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62 A, 7000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.05 EUR
198+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH