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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7104TRUMWDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFIRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
8000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
125+1.37 EUR
178+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
auf Bestellung 4171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.04 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.43 EUR
50+1.06 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
8000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
125+1.34 EUR
178+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105International Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105
Produktcode: 32592
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 3,5 (2,3) A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/9,4
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 143 St.
  • 143 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+0.63 EUR
10+0.56 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105PBF
Produktcode: 113418
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 В
Drain-Strom Idd, A: 2,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/9.4
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 34 St.
  • 34 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+0.7 EUR
10+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105PBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, I2 = 2,3 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105PBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRIRC07+;
auf Bestellung 588000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V, 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V, 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRHXY MOSFETTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm/77mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR HXY MOSFET TIRF7105 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRJSMSEMITransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm/58mOhm; 7,2A/6,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR JSMICRO TIRF7105 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TR/IRIR08+;
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 54977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1545+0.42 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1545 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.38 EUR
184+0.92 EUR
186+0.87 EUR
237+0.65 EUR
264+0.57 EUR
486+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 6831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
50+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+0.95 EUR
186+0.93 EUR
237+0.71 EUR
264+0.62 EUR
486+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
318+0.55 EUR
353+0.48 EUR
386+0.42 EUR
402+0.38 EUR
408+0.37 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.36 EUR
233+1 EUR
264+0.81 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
auf Bestellung 3319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+0.8 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
2000+0.5 EUR
4000+0.4 EUR
8000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBFIRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+0.45 EUR
402+0.43 EUR
408+0.42 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.39 EUR
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IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24049 Stücke:
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107+2.36 EUR
233+1 EUR
264+0.81 EUR
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IRF7105TRPBF
Produktcode: 140019
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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IRF7105TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1599 Stücke:
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IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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4000+0.39 EUR
12000+0.35 EUR
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IRF7106Infineon / IRMOSFET
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IRF7106IRF
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IRF7106Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IRF7108IRF
auf Bestellung 1950 Stücke:
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IRF710BONSEMIDescription: ONSEMI - IRF710B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRF710BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 31593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1137+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
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IRF710BFAIRCHILDIRF710B
auf Bestellung 31050 Stücke:
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1713+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1713 Stücke
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IRF710LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 327 Stücke:
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113+1.55 EUR
127+1.36 EUR
250+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1870 Stücke:
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191+0.92 EUR
194+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
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IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.36 EUR
178+0.95 EUR
179+0.9 EUR
212+0.74 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.98 EUR
212+0.81 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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IRF710PBF
Produktcode: 22637
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Montage: THT
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3+0.58 EUR
10+0.55 EUR
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
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IRF710PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF710PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 4218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
50+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+1.89 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.93 EUR
79+2.19 EUR
100+1.93 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF710PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
140+1.67 EUR
178+1.21 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 2434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+1.77 EUR
100+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+3.02 EUR
50+2.3 EUR
100+2.06 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710SPBFMOSFET N-Ch 400V 2A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 400V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.26 EUR
100+1.93 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.34 EUR
5000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 2.0 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBF
Produktcode: 180068
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF710STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF710STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.87 EUR
118+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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IRF710STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.2A
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF710STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
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IRF710STRLPBFMOSFET N-Ch 400V 2A D2PAK Транзистори
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IRF710STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF710STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 400V 2.0 Amp
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IRF711Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 6031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
413+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
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IRF711HARRISIRF711
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
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IRF711HARRISIRF711
auf Bestellung 4779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
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IRF712Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
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IRF712RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
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IRF712S2497HARRISIRF712S2497
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF712S2497Harris CorporationDescription: 1.7A, 400V, 5OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
413+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
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IRF7130TR
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7134TR04+ SOP
auf Bestellung 4010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7136TR
auf Bestellung 26500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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