Produkte > DXT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DXTP3C60PS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 5W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP3C60PS-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C60PS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 5W; PowerDI®5060-8 Type of transistor: PNP Case: PowerDI®5060-8 Mounting: SMD Power dissipation: 5W Quantity in set/package: 2500pcs. Collector current: 3A Pulsed collector current: 8A Collector-emitter voltage: 60V Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C60PS-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor | auf Bestellung 3370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C60PS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 5W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor | auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Frequency - Transition: 135MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C60PSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 135MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Frequency - Transition: 135MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C60PSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 135MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP560BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP560BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 2.8 W | auf Bestellung 115000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP560BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP560BP5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500 | auf Bestellung 3134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP560BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 2.8 W | auf Bestellung 115000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP58100CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN Power - Max: 690 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Frequency - Transition: 135MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP58100CFDB-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K | auf Bestellung 3390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP58100CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 135MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 690 mW | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP5820CFDB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 6A; 690mW; U-DFN2020-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 6A Power dissipation: 0.69W Case: U-DFN2020-3 Pulsed collector current: 8A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 140MHz Manufacturer standard package: 3000pcs. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP5820CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 690 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP5820CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 690 mW | auf Bestellung 1580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP5820CFDB-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K | auf Bestellung 13835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP5840CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 690 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Frequency - Transition: 135MHz | auf Bestellung 9725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP5840CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3 Power - Max: 690 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Frequency - Transition: 135MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP5840CFDB-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP5840CFJAWQ-7 | Diodes Incorporated | Pwr Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K | auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP5860CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP5860CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP5860CFDB-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K | auf Bestellung 2759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP78030DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | auf Bestellung 1914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP78030DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 325mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 300nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 315MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.4 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP78030DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 325mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 300nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 315MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.4 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP78100CFG-7 | Diodes Incorporated | Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP78100CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 300nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 290MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 900 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP78100CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 300nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 290MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP78100CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | auf Bestellung 1393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP78100CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 300nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 290MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP80030DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP80060DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | auf Bestellung 3867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP80100CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTV6 | Phoenix Contact | Phoenix Contact D XTV 6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |