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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
16+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP560BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
148+1.57 EUR
227+0.94 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500
auf Bestellung 3134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.6 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.5 EUR
10000+0.46 EUR
15000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP560BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
148+1.57 EUR
227+0.94 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
auf Bestellung 3390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
28+0.77 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Frequency - Transition: 135MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
auf Bestellung 61630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
auf Bestellung 13835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 135MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 135MHz
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP5840CFJAWQ-7Diodes Incorporated Pwr Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.64 EUR
100+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
auf Bestellung 2759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.74 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP78030DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.55 EUR
100+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP78030DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 325mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 315MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.4 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP78030DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 325mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 315MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.4 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP78060DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.55 EUR
100+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP78100CFG-7Diodes Incorporated Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP78100CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP78100CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.4 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.38 EUR
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP78100CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.55 EUR
100+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.39 EUR
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP78100CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.4 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
35+0.61 EUR
39+0.54 EUR
100+0.46 EUR
250+0.43 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP80030DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.64 EUR
100+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.4 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP80060DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
auf Bestellung 3867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP80100CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.64 EUR
100+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.4 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DXTV6Phoenix ContactPhoenix Contact D XTV 6
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