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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDB2060Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 60A/250VDC MAX 10K/600VAC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2060LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 60A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2070Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 70A/250VDC MAX 10K/600VAC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2070LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 70A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2070S22Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 70A W/ST 48-127VAC OR 48-60VDC RH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2080Eaton ElectricalCircuit Breakers TYPE FDB BREAKER 2 POLE 80 AMP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2080LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 80A CKBR W/LINE & LOAD TERMINALS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2080N06Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 80 A W/LST1RPK Low Energy ST
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20AN06A0fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 5810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
412+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.22 EUR
1600+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
36+6.45 EUR
100+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FonsemiMOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
auf Bestellung 4186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.89 EUR
10+6.5 EUR
100+4.82 EUR
500+4.06 EUR
800+3.75 EUR
2400+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 14310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.32 EUR
10+6.16 EUR
100+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100D01S1803Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A KPR S/T 37.5VDC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100S23Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A W/ST 48-127VAC / 48-60VDC RH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100VA06H08Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A 50 DEGREE W/AUX SW 1A1B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2125A06Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 125A W/AUX SW 1A1B RH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2150D22Eaton ElectricalCircuit Breakers FD2150 w/ line & line end cap
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB24AN06LA0fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB24AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532
Produktcode: 61087
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.33 EUR
100+7.46 EUR
250+7.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
auf Bestellung 2143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.48 EUR
10+6.32 EUR
100+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.93 EUR
250+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.69 EUR
1600+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.58 EUR
1600+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ONS/FAIMOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.65 EUR
38+4.53 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.59 EUR
37+6.31 EUR
50+5.38 EUR
100+4.93 EUR
250+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.51 EUR
19+4.64 EUR
25+4.13 EUR
40+3.88 EUR
50+3.76 EUR
100+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532onsemiMOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.2 EUR
10+6.78 EUR
100+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.69 EUR
1600+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532-F085onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532_SB82254onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532_SN00096onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532_SN00238onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ONN
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.92 EUR
1600+1.8 EUR
2400+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.77 EUR
41+4.21 EUR
42+4.05 EUR
100+3.22 EUR
250+3.15 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.05 EUR
57+4.11 EUR
100+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.77 EUR
41+4.12 EUR
42+3.89 EUR
100+3.06 EUR
250+2.92 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ONS/FAIMOSFET N-Ch, 150V, 37A, D2PAK (TO-263AB) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.76 EUR
100+2.32 EUR
500+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 5099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+3.18 EUR
100+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2570fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel UltraFET
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+2.48 EUR
100+2.09 EUR
800+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.67 EUR
100+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.2 EUR
29+8.08 EUR
100+5.49 EUR
500+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614onsemiMOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 260W
Gate charge: 99nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.83 EUR
500+4.87 EUR
1000+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.66 EUR
100+4.82 EUR
800+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2670fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
auf Bestellung 3668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
159+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.66 EUR
500+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11 EUR
10+7.45 EUR
100+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0425 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.07 EUR
27+8.63 EUR
100+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.97 EUR
10+7.35 EUR
25+7.1 EUR
100+5.3 EUR
250+5.19 EUR
500+5.15 EUR
800+5.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TMonsemiMOSFETs 300V N-Channel
auf Bestellung 10769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.53 EUR
100+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.64 EUR
1600+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.92 EUR
31+2.76 EUR
38+2.26 EUR
41+2.09 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
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FDB28N30TMONS/FAIMOSFET N-Ch, 300V, 28A, D2PAK Транзистори
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FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB28N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
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FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB28N30TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
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37+6.79 EUR
62+3.76 EUR
100+2.51 EUR
500+2.25 EUR
1000+1.81 EUR
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FDB28N30TMON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
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10+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1600+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDB28N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
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800+1.9 EUR
1600+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB28N30TM Transistor
Produktcode: 193843
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FDB3010D11Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 10A W/ LINE & LOAD END CAP KITSS
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FDB3015LD08Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 15A L&L TERM W/FCWTK LOAD END
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FDB3015LM04Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 15A W/MTG HDWE TERM L&L
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