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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDB2020S18Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 20A W/ST 12-24VAC OR VDC RH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2020VLEaton ElectricalCircuit Breakers TYPE FDB 2P 20A BRK FOR 50C AMBIENT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2020VWEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 20A 50 DEGREE W/O TERM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2020VWD01Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 20A T/M 50C W/KEEPER NUTS
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FDB2030LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 30A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2030LA05Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 30A W/AUX SW 1A1B RH TERM L&L
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FDB2040Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 40A/250VDC MAX 10K/600VAC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2050Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 50A/250VDC MAX 10K/600VAC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2060Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 60A/250VDC MAX 10K/600VAC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2060LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 60A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2070Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 70A/250VDC MAX 10K/600VAC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2070LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 70A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2070S22Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 70A W/ST 48-127VAC OR 48-60VDC RH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2080Eaton ElectricalCircuit Breakers TYPE FDB BREAKER 2 POLE 80 AMP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2080LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 80A CKBR W/LINE & LOAD TERMINALS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2080N06Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 80 A W/LST1RPK Low Energy ST
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2090Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 90A/250VDC MAX 10K/600VAC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2090LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 90A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20AN06A0fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 5810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
343+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 13510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.29 EUR
10+6.15 EUR
50+4.81 EUR
100+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FonsemiMOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
auf Bestellung 4186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.15 EUR
10+4.74 EUR
100+4.32 EUR
500+3.62 EUR
800+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
36+6.45 EUR
100+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A TRIP 600V CL LOAD TERM ONLY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100D01S1803Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A KPR S/T 37.5VDC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A TRIP, 600V CLASS, LINE&LOAD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100S22Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A W/ST 48-127VAC / 48-60VDC RH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100S23Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A W/ST 48-127VAC / 48-60VDC RH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100S26Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A W/ST
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100S30Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A W/ST
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100VEaton ElectricalCircuit Breakers TYPE FDB 2P 100A BRK FOR 50C AMBIENT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100VA06H08Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A 50 DEGREE W/AUX SW 1A1B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2100WD01Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A W/O TERM W/KPR1A L&L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2110LA06Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 110A W/AUX SW 1A1B RH TERM L&L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2125A06Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 125A W/AUX SW 1A1B RH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2125LS18Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 125A W/ST 12-24VAC/VDC RHTERM L&L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2125S22Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 125A W/ST 48-127VAC / 48-60VDC RH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2150Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 150A TRIP 600V CL LOAD TERM ONLY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2150D11Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 150A W/ LINE & LOAD END CAP KITS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2150D22Eaton ElectricalCircuit Breakers FD2150 w/ line & line end cap
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2150H08Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 105 Amp Breaker W/Marine label
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2150LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 150A TRIP, 600V CLASS, LINE&LOAD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB24AN06LA0fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB24AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ONS/FAIMOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.59 EUR
37+6.31 EUR
50+5.38 EUR
100+4.93 EUR
250+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532onsemiMOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.2 EUR
10+6.78 EUR
100+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.65 EUR
1600+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.51 EUR
19+4.64 EUR
25+4.13 EUR
40+3.88 EUR
50+3.76 EUR
100+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.59 EUR
38+4.47 EUR
100+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532
Produktcode: 61087
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
auf Bestellung 2143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.48 EUR
10+6.32 EUR
100+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.65 EUR
1600+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.93 EUR
250+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.22 EUR
100+7.38 EUR
250+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.58 EUR
1600+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532-F085onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532_SB82254onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532_SN00096onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532_SN00238onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.76 EUR
100+2.32 EUR
500+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.72 EUR
41+4.15 EUR
42+4 EUR
100+3.19 EUR
250+3.12 EUR
500+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ONS/FAIMOSFET N-Ch, 150V, 37A, D2PAK (TO-263AB) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.72 EUR
41+4.07 EUR
42+3.84 EUR
100+3.02 EUR
250+2.88 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 5099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+3.18 EUR
100+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ONN
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.92 EUR
1600+1.8 EUR
2400+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.05 EUR
57+4.11 EUR
100+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2570fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel UltraFET
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+2.48 EUR
100+2.09 EUR
800+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.67 EUR
100+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.83 EUR
500+4.87 EUR
1000+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.66 EUR
100+4.82 EUR
800+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.2 EUR
29+8.08 EUR
100+5.49 EUR
500+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614onsemiMOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 260W
Gate charge: 99nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
auf Bestellung 3668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
159+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2670fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.66 EUR
500+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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