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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RN2111TE85L
auf Bestellung 318000 Stücke:
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RN2111TE85L(YM)
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RN2111\YMTOSHIBASOT-423
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RN2112(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN2112(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
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RN2112(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
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RN2112,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
auf Bestellung 9000 Stücke:
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RN2112,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN2112,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
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RN2112,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
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 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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RN2112,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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5+0.73 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RN2112ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2112ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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RN2112CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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RN2112CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2112CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2112MFV(TL3,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor PNP 22kohm -100mA -50V
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 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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RN2112MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 22Kohms
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 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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RN2112MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RN2112MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 50V 0.1A SOT-723
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2112MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2112MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RN2112TE85L
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN2113
auf Bestellung 3000 Stücke:
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RN2113(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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RN2113(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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RN2113,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
73+0.29 EUR
150+0.14 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=InfinitykOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
60+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.64 EUR
10+0.48 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.094 EUR
24000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN2113/YPTOSHIBA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113FT
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113MFV(TL3,T)ToshibaDigital Transistors Bias Resistor PNP 47kohm -100mA -50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 47Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
81+0.26 EUR
150+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.076 EUR
2000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113MFV,L3FToshibaDigital Transistors 47kohm 50V 0.1A SOT-723
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2113MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2114(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2114(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2114(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased SSM (HF) TRANSISTOR Pd 100mW F 1MHz
auf Bestellung 5774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.51 EUR
10+0.42 EUR
100+0.23 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.077 EUR
9000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2114(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2114MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors -50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2114MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2114MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
105+0.2 EUR
169+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2114MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2114MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2115(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2115(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2115(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2115,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2115,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2115,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2115,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Produkt ist nicht verfügbar
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RN2115,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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RN2115MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors -50volts 100mA 3Pin 2.2Kohms x 10Kohms
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RN2115MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2115MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
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RN2115MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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RN2115MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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RN2116(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
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RN2116(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
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RN2116(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
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RN2116,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
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RN2116,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
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RN2116,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
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RN2116,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
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RN2116,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
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RN2116,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
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RN2116,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
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RN2116,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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RN2116,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
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RN2116MFV(TL3,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor PNP 4.7kohm -100mA -50V
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RN2116MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2116MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased -50volts 100mA 3Pin 4.7Kohms x 10Kohms
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RN2116MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 7980 Stücke:
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685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
3509+0.061 EUR
4000+0.06 EUR
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RN2117TOSHIBASOT23
auf Bestellung 2000 Stücke:
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RN2117(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN2117(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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RN2117(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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RN2117(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 2740 Stücke:
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2075+0.083 EUR
2500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2075 Stücke
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RN2117(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
32+0.67 EUR
100+0.36 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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RN2117(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN2117MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RN2117MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors -50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms
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 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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RN2117MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RN2118(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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RN2118(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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RN2118(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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RN2118MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased -50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms
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RN2118MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
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RN2118MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
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