Produkte > SID
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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| SIDC26D60C8X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 100A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 100 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC26D60C8X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC26D60C8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC26D65C8 | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC26D65C8A | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC26D65C8AX7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC26D65C8X1SA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching Type of diode: switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC26D65C8X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC26D65C8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120E6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120E6X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120E6X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 35A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 35 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 35A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120E6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120F6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120F6X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120F6X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 35A WAFER Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 35 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 35A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120F6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120H6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120H6X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120H6X1SA4 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120H6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120H8 | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120H8X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120H8X1SA4 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D120H8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D60E6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D60E6NJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 75A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC30D60E6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC32D170F | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC32D170H | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC32D170HX1SA3 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC32D170HX1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1700V 50A SAWN ON FOIL Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 50A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC32D170HZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 106 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C6A | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C6NJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C6X1SA3 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 150A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C8 | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C8X1SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C8X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 150A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C8X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D60C8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D65C8 | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D65C8A | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D65C8AX7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D65C8X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC38D65C8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC42D120E6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 96 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC42D120E6X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC42D120F6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 96 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC42D120F6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC42D120H6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 96 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC42D120H6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 75A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 75 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 75A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC42D120H8 | Infineon technologies | auf Bestellung 3789 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| SIDC42D120H8X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1200V 75A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC42D170E6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 79 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC42D170E6X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.7KV 50A WAFER Package / Case: Die Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC42D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 100A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC46D170H | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC46D170HX1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1700V 75A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC50D60C6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 200A SAWN ON FOIL Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 200A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC50D65C8X1SA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 200A 2-Pin Die Wafer | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4680 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC53D120H6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 76 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC56D120E6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC56D120F6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC56D170E6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 59 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC56D170E6X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC56D60E6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC56D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 150A SAWN ON FOIL Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 150A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC59D170H | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 56 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC59D170HX1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.7KV 100A WAFER Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 100A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC73D170E6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 46 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC73D170E6X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC78D170H | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 43 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC78D170HX1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.7KV 150A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 150A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC81D120E6X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 100A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 100A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC81D120F6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 100A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 100A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC81D120F6YX1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURPOSE 1.2KV Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC81D120H6X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 150A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 150A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC81D120H8X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 1200V 150A Packaging: Bulk Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC81D60E6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 200A WAFER Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 200A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC81D60E6YX1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURPOSE 600V Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC85D170HX1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 1.7KV 150A SAWN Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDC88D65DC8AX7SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GENERAL PURPOSE 650V Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDEGIG-GUITAREVM | Texas Instruments | Description: EVALUATION MODULE Packaging: Bulk For Use With/Related Products: NE5532, RC4558 Accessory Type: Interface Board Utilized IC / Part: NE5532, RC4558 Part Status: Active | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIDEGIG-GUITAREVM | Texas Instruments | Audio IC Development Tools SIDEGIG-GUITAREVM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDEGIG-PROTOEVM | Texas Instruments | Audio IC Development Tools AUDIO REFERENCE EVM | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIDEGIG-PROTOEVM | Texas Instruments | Prototype Audio Plug-in Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDEGIG-XOVEREVM | Texas Instruments | Analog, Active Crossover Audio Plug-in Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDEGIG-XOVEREVM | Texas Instruments | Audio IC Development Tools AUDIO REFERENCE EVM | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIDEGIG-XOVEREVM | Texas Instruments | Analog, Active Crossover Audio Plug-in Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| SIDHP-FD2722D-220M | Suntsu Electronics, Inc | Description: FIXED IND 22uH SMD 25A 4.1MOHM Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.898" (22.80mm) Inductance Frequency - Test: 100 kHz Current - Saturation (Isat): 33A DC Resistance (DCR): 4.1mOhm Max Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Type: Wirewound Shielding: Unshielded Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 1.075" L x 0.846" W (27.30mm x 21.50mm) Package / Case: Nonstandard Tolerance: ±20% Current Rating (Amps): 25 A Inductance: 22 µH Packaging: Bulk | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIDHP-FD2818F-100M | Suntsu Electronics, Inc | Description: FIXED IND 10uH SMD 30A 2.58MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Bulk Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 1.102" L x 0.776" W (28.00mm x 19.70mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.58mOhm Max Current - Saturation (Isat): 33A Inductance Frequency - Test: 100 kHz Height - Seated (Max): 0.728" (18.50mm) Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 30 A | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIDHP-FS1262-2R0M | Suntsu Electronics, Inc | Description: FIXED IND 2uH SMD 23A 2.6MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Bulk Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.543" L x 0.504" W (13.80mm x 12.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 150°C DC Resistance (DCR): 2.6mOhm Max Current - Saturation (Isat): 41A Inductance Frequency - Test: 100 kHz Height - Seated (Max): 0.256" (6.50mm) Part Status: Active Inductance: 2 µH Current Rating (Amps): 23 A | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIDHP-FS1889-6R8M | Suntsu Electronics, Inc | Description: FIXED IND 6.8uH SMD 18.5A 4.7MOH Shielding: Unshielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.760" L x 0.717" W (19.30mm x 18.20mm) Package / Case: Nonstandard Tolerance: ±20% Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 18.5 A Inductance: 6.8 µH Height - Seated (Max): 0.362" (9.20mm) Inductance Frequency - Test: 100 kHz Current - Saturation (Isat): 31A DC Resistance (DCR): 4.7mOhm Max Operating Temperature: -55°C ~ 150°C | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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