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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SUD50N03-10-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 15A 83W
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SUD50N03-10-T4VishayVishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3
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SUD50N03-10-T4
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-10-T4-E3VishayVishay
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SUD50N03-10APVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-10APVishay / SiliconixMOSFET 30V 20A 71W
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SUD50N03-10AP-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 20A 71W
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SUD50N03-10AP-E3VISHAY09+
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-10AP-T4VishayVishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3
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SUD50N03-10BPVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
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SUD50N03-10BP-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
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SUD50N03-10BP-T4
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-10BP-T4Vishay / SiliconixMOSFET 30V N-CH 175DEG C RATED
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SUD50N03-10BP-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFET
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SUD50N03-10CPVishay / SiliconixMOSFET N-CH 30V(D-S),175 C MOSFET PWM OPTIMIZED
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SUD50N03-10CPVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-10CP-E3VishayVishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3
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SUD50N03-10CP-T4VishayVishay
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SUD50N03-10CP-T4E3VishayVishay
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SUD50N03-10PVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3
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SUD50N03-10PVISHAYSOT252/2.5
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-10P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
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SUD50N03-10P-T4Vishay / SiliconixMOSFET 30V N-CH 10MOHM, 32M CELL TRENCH
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SUD50N03-11VISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-11*
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-11-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SUD50N03-12PVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-12P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 46.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD50N03-12P-E3
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-12P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N03-16
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-16PVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-16P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N03-16P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD50N03-7M3P-E3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N0307E3
auf Bestellung 3898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N04
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N04-05LVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N04-05L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 115A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-05L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-05L-E3VISHAYSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-06HVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-06H-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-07-E3VISHAY0904+
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-07LVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-07L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 65A 65W 7.4mohm @ 10V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-09H-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-09H-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 50A 83.3W 9.0mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-16P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-37P-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 5.4A/8A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 10.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)
auf Bestellung 12065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.84 EUR
100+1.93 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.94 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.94 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.55 EUR
52+1.65 EUR
100+1.04 EUR
200+0.87 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+0.71 EUR
266+0.64 EUR
269+0.61 EUR
283+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.19 EUR
205+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.71 EUR
100+1.84 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
auf Bestellung 5601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.68 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 48.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 48439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.67 EUR
269+0.64 EUR
283+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.27 EUR
149+1.14 EUR
206+0.8 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.21 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.69 EUR
266+0.65 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-07LVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-07L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-07L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-07L-E3VISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-07L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-07L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-08HVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-08H-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 93A 136W 7.8mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-08H-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 93A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09-T1-E3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09LVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N06-09L-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.69 EUR
4000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.96 EUR
98+1.78 EUR
101+1.69 EUR
200+1.65 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.29 EUR
10+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3
Produktcode: 169164
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.69 EUR
4000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-T1-E3
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-12VISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-16VISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-16-E3
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-36-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 12A 24W 36mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N10-18P
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N10-18P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N10-18P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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