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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4113GMSIO6
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4113M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4113
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4113M-EVBSilicon LabsMLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4113M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4113ZT1N/A
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds 16V Vgs SO-8
auf Bestellung 7452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+2.56 EUR
100+1.76 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.57 EUR
100+1.99 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.39 EUR
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 276862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
14+1.55 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
auf Bestellung 12468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.89 EUR
100+2.32 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.48 EUR
5000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 275000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114G-B-GMSilicon LabsDescription: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114G-BMSilicon LabsDescription: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114G-BMRSI03+ CLCC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4114GM-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL SI4114G-BM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4115G-BMSilicon LabsDescription: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4115G-BMRSILICON
auf Bestellung 67790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.49 EUR
366+0.48 EUR
372+0.45 EUR
378+0.44 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.81 EUR
355+0.48 EUR
360+0.45 EUR
366+0.43 EUR
372+0.4 EUR
378+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
100+1.13 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
auf Bestellung 28574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.19 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.95 EUR
5000+0.89 EUR
7500+0.86 EUR
12500+0.82 EUR
17500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 12774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.03 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+1 EUR
2500+0.89 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4116DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4120
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4120-KT09+
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4120KTSILICON
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122-BTSI
auf Bestellung 4450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122-BTR
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
Anzahl je Verpackung: 490 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
Differential - Input:Output: No/No
Ratio - Input:Output: 1:2
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Input: Crystal
Type: Frequency Synthesizer
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Frequency - Max: 1.5GHz
Output: Clock
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.78 EUR
10+18.77 EUR
25+14.83 EUR
100+13.59 EUR
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SI4122-D-GMRSilicon LabsRF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free
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SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.07 EUR
2500+10.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
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15+12.07 EUR
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SI4122-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4122-D-GMRSilicon LabsDescription: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4122-D-GTSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
Anzahl je Verpackung: 62 Stücke
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SI4122-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
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 Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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SI4122-D-GTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
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SI4122-D-GTSilicon LabsPhase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output
auf Bestellung 73 Stücke:
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SI4122-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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2500+10.76 EUR
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SI4122-D-GTRSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
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SI4122-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
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2500+10.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4122-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4122-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP
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SI4122-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4122-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4122
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SI4122BTSILICON
auf Bestellung 238 Stücke:
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SI4122DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3Vishay10+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4122DY-T1-GE3
Produktcode: 188744
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.11 EUR
100+1.99 EUR
250+1.87 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 10073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 4973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.78 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8
auf Bestellung 3307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+3.72 EUR
100+2.62 EUR
500+2.23 EUR
2500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122G-BMRSI2000
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4122M-EVBSilicon LabsMLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122M-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4123-BMSilicon LabsDescription: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4123-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4123-BT
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4123-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.21 EUR
10+18.27 EUR
25+17.41 EUR
100+15.12 EUR
250+14.43 EUR
490+13.15 EUR
980+12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
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SI4123-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
Differential - Input:Output: No/No
Ratio - Input:Output: 1:2
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Input: Crystal
Type: Frequency Synthesizer
Frequency - Max: 1.8GHz
Output: Clock
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.37 EUR
10+15.93 EUR
25+15.09 EUR
80+14.11 EUR
230+13.3 EUR
490+12.77 EUR
980+12.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4123-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123
Anzahl je Verpackung: 490 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+14.01 EUR
100+13.24 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+14.01 EUR
100+13.24 EUR
500+12.4 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4123-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4123-D-GMRSilicon LaboratoriesRF synthesizer with RF1/IF OUT
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.2 EUR
13+13.58 EUR
25+12.47 EUR
100+11.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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