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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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IRF720PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 3.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.08 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
2000+0.83 EUR
10000+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF720SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720S
Produktcode: 40820
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF720SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 3.3 Amp
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.07 EUR
10+2.15 EUR
100+1.8 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720SPBFТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.35 EUR
50+2.14 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720SPBF
auf Bestellung 59800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720STRLPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720STRPBF
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF720STRPBFТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 3.3 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF721Samsung
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7210
Produktcode: 86648
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF7210HRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7210PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 500µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7210PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 7mOhms 212nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7210PBFInternational RectifierТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7210TRHRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7210TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 212nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7210TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 500µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF721RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -14, Id = 11, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 8075 @ -10, Qg, нКл = 84, Rds = 8,2 мОм, Tексп, °C = -55...+170, Ugs(th) = -0,6 В,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220International RectifierСиловой MOSFET P-кан., -14V, 0.012Ом, -55...+150, SO-8 (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220International RectifierP-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220PBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 12mOhms 84nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220TRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220TRPBF
Produktcode: 112483
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 14 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8075/84
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220TRPBFIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7220TRPBFInternational RectifierMOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7223IR02+ 8PIN-SOP
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF723Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 79897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
386+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7233IOR09+ SO-8
auf Bestellung 121473 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7233Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7233International RectifierSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7233<94-3291>
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7233HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7233PBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 20mOhms 49nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7233PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7233TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF7233TRIOR
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7233TRHRInfineon / IRInfineon
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IRF7233TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -12V -9.5A 20mOhm 49nC
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IRF7233TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF7233TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRF7240IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7240International Rectifier(MFET, P-CH, 40V, 10,5A, SO-8) Транзистори
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IRF7240PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7240PBF - P CHANNEL MOSFET, -40V, 10.5A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: To Be Advised
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IRF7240PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
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IRF7240PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7240PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -40, Id = -10,5, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25, Qg, нКл = 73, Rds = 15 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -2 В,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7240PBF
Produktcode: 22230
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF7240PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -40V HEXFET 15mOhms 73nC
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IRF7240TRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR UMW TIRF7240 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 10A; 4,2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR JGSEMI TIRF7240 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
480+1.14 EUR
534+1.01 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V
auf Bestellung 15571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.76 EUR
11+1.76 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -40V -10.5A 15mOhm 73nC
auf Bestellung 15143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.76 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.84 EUR
4000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.73 EUR
8000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.5 EUR
113+1.28 EUR
124+1.14 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.7 EUR
8000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -40, Id = 10,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25, Qg, нКл = 73, Rds = 15 мОм, Ugs(th) = -2 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBF IRF7240PBFInternational Rectifier(MFET, P-CH, 40V, 10,5A, SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241International RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241PBF
Produktcode: 144674
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241PBFInfineon TechnologiesMOSFET 1 P-CH -40V HEXFET 41mOhms 53nC
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRInternational RectifierP-MOSFET 6.2A 40V 2.5W 0.041Ω IRF7241 smd TIRF7241
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
16+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRF7241TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7241TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC
auf Bestellung 4913 Stücke:
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2+1.41 EUR
10+0.94 EUR
100+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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