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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4810D
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4810DDY-T1-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI4810DYVISHAY09+
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SI4810DY-T1VISHAY
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Si4810DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI4810DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4810DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI4810Y-T1
auf Bestellung 1552 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812SISOP-8
auf Bestellung 11000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812B-T1-E3
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY DIODE
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SI4812BDY-T
auf Bestellung 2364 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-E3VISHAYSOP8 06+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9A 2.5W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-E3
Produktcode: 173644
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9.5A 2.5W 16mohm @ 10V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DYVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4812BDY-E3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DYVISHAY09+
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9A 2.5W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DY-T1VISHAY
auf Bestellung 133700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4812BDY-E3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814SISOP-8
auf Bestellung 830 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY-T1-E3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4814BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 10.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W, 3.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 10.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W, 3.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DYSILICONIX
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 7/7.4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 7/7.4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DY-T1VISHAY0441+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SI4916DY-T1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4814DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4814DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DY-T2-E3VISHAY
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DY-TI-E3
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814L
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDYVISSOP 10+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 15394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.84 EUR
100+1.96 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.45 EUR
2500+1.34 EUR
5000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4816BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, LITTLE FOOT, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0093ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: LITTLE FOOT®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4816BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, LITTLE FOOT, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0093ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 9400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4 EUR
100+2.5 EUR
200+2.23 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.29 EUR
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3CT-ND
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4816BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4816BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
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2500+1.19 EUR
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SI4816BDY-T1-GE3Siliconix2xN-MOSFET 30V 5.8A SI4816BDY-T1-E3TR SI4816BDY-T1-GE3TR TSI4816bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
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20+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SI4816BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4816BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 12410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.76 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.25 EUR
5000+1.24 EUR
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SI4816BDY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: LITTLE FOOT®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4816BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 205 Stücke:
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162+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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SI4816BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4816DYVishay Semiconductor2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,3 А, Qg, нКл = 12 @ 5 В, Rds = 22 мОм @ 6,3 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 7,7 A, P2 = 1,25 Вт,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 88 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816DYVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4816DY-T1VISHAY2005
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4816DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.3A/7.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4816DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4816DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816DYT1VISHAY
auf Bestellung 23445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4816DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4818SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4818DY
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4818DY-T1VISHAYSOP-8
auf Bestellung 45600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si4818DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4818DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4818DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4818DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4818EY-T1-E3
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4818EYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4820SI
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4820-A10-CUSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 5.6MHz ~ 22MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: Audio
Current - Receiving: 21mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4820-A10-CUSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM 3.3V 24-Pin SSOP
auf Bestellung 20496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.65 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.17 EUR
10000+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4820-A10-CUSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver FM/AM with mechanical tuning
Produkt ist nicht verfügbar
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