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SI4804DY SOP8VISHAY
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SI4804DY-T1SI2000
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SI4804DY-T1 SOP-8VISHAY
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SI4804DY-T1*
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Si4804DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI4804DY-T1SOP-8VISHAY
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SI4804DYSOP8
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SI4804DYT1E3VISHAY
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SI4806DYVISHAY07+ SO-8
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SI4806DY-T1
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SI4806DY-T1-E3VISHAYSO-8
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SI4807DYVISHAY07+ SO-8
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SI4807DY-T1
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Si4807DY-T1-E3VISHAYSO-8
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SI4807DY-T2
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SI4807DY-T3
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SI4808SISOP-8
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SI4808DYVISHAY2001
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SI4808DY-T1
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Si4808DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Si4808DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI4808DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 7.5A 2.0W 22mohm @ 10V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4808DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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SI4808DY-TI-E3
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SI4808DYT1VISHAY07+ SO-8
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SI4808DYT1E3VISHAY
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SI4810
Produktcode: 53932
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SI4810SISOP-8
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SI4810AS
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SI4810B
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SI4810BDYSILICONIX
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SI4810BDY-T-E3
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SI4810BDY-T1VISHAY05+ SOP-8
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SI4810BDY-T1-E3VISHAY0624+
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SI4810BDYT1VISHAY
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SI4810BDYT1E3VISHAY
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SI4810D
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SI4810DDY-T1-E3
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SI4810DYVISHAY09+
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SI4810DY-T1VISHAY
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Si4810DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI4810DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4810DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI4810Y-T1
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SI4812SISOP-8
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SI4812B-T1-E3
auf Bestellung 2500 Stücke:
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SI4812BDY
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SI4812BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY DIODE
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SI4812BDY-T
auf Bestellung 2364 Stücke:
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SI4812BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-E3
Produktcode: 173644
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-E3VISHAYSOP8 06+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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SI4812BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9A 2.5W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9.5A 2.5W 16mohm @ 10V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DYVISHAY09+
auf Bestellung 148 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DYVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4812BDY-E3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9A 2.5W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DY-T1VISHAY
auf Bestellung 133700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4812BDY-E3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4812DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814SISOP-8
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY-T1-E3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W, 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 10.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W, 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 10.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 7/7.4A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DYSILICONIX
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 7/7.4A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SI4916DY-T1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DY-T1VISHAY0441+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4814DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4814DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DY-T2-E3VISHAY
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DY-TI-E3
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4814L
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDYVISSOP 10+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4816BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, LITTLE FOOT, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0093ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
80+2.93 EUR
101+2.13 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4816BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4816BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
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50+4.03 EUR
100+2.52 EUR
200+2.25 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
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SI4816BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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5+4.74 EUR
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SI4816BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4816BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, LITTLE FOOT, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0093ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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100+2.93 EUR
101+2.13 EUR
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SI4816BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4816BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4816BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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SI4816BDY-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.64/0.8W
Gate charge: 10/18nC
Polarisation: unipolar
Technology: LITTLE FOOT®
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Drain current: 4.6/6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
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