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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK9Y6R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y6R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2036 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
18+1.18 EUR
25+1.06 EUR
100+0.93 EUR
250+0.87 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y6R5-40HXNexperiaMOSFETs BUK9Y6R5-40H/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.39 EUR
100+1.09 EUR
500+0.98 EUR
1500+0.77 EUR
3000+0.68 EUR
9000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y72-80E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y72-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 15 A, 0.059 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
131+1.78 EUR
200+1.07 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y72-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y72-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 15A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y72-80E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y72-80E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 9235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
1500+0.46 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y72-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y72-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y72-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 15A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R0-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8327 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.66 EUR
10+4.33 EUR
50+3.32 EUR
100+3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R0-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3600 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 238.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238.4W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R0-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8327 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R0-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3600 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 238.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.47 EUR
46+5.08 EUR
100+2.92 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R0-60ELXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 125A
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+4.69 EUR
50+3.61 EUR
100+3.27 EUR
1500+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R2-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R2-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R2-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+2.27 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R2-60E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y7R2-60E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 4573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.04 EUR
1500+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R2-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R2-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.05 EUR
3000+0.98 EUR
4500+0.93 EUR
7500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R2-60RAXNexperiaMOSFETs BUK9Y7R2-60RA/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.12 EUR
1500+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R2-60RAXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y7R2-60RA/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
10+2.44 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R2-60RAXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y7R2-60RA/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R6-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 79A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
276+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R6-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2403 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R6-40E,115NexperiaMOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R6-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 79A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R6-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2403 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
12+1.9 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R6-40E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y7R6-40E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.69 EUR
100+1.12 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.7 EUR
1500+0.65 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R6-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 79A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.14 EUR
165+1.01 EUR
166+0.96 EUR
197+0.79 EUR
250+0.75 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y7R8-80E,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.47 EUR
60+3.88 EUR
100+2.46 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.2 EUR
3000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; Idm: 423A; 238W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Power dissipation: 238W
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54.7nC
On-state resistance: 21.3mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 423A
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperiaMOSFETs SOT669 N CHAN 80V
auf Bestellung 4723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.12 EUR
10+2.32 EUR
100+2.03 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.48 EUR
1500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
469+1.38 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 469 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.99 EUR
10+3.87 EUR
50+2.95 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.93 EUR
104+1.59 EUR
105+1.52 EUR
124+1.24 EUR
250+1.19 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
469+1.38 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 469 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R5-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R7-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R7-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y8R7-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
101+2.31 EUR
145+1.49 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R7-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.15 EUR
50+1.62 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.76 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y8R7-60E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.84 EUR
10+2.07 EUR
100+1.44 EUR
500+1.17 EUR
1500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R8-60ELNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R8-60ELNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+3.99 EUR
100+3.2 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R8-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6695 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+3.28 EUR
100+2.62 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R8-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 4400 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 194W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R8-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6695 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R8-60ELXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 110A
auf Bestellung 7159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.78 EUR
100+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.37 EUR
1500+1.3 EUR
9000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R8-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 4400 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.18 EUR
64+3.67 EUR
100+2.33 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y98-80E,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 80V LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y9R9-80E,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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