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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS661XSMT&RIsocom Components 2004 LTDDescription: 6PIN HIGH VOLTAGE DARLINGTON, SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Voltage - Output (Max): 300V
Rise / Fall Time (Typ): 300µs, 100µs (Max)
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16DBLL-55BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 16M PARALLEL 48BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16DBLL-55BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 16MB 55NS 44TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16DBLL-70BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 16MB 70NS 2.5-3.6V 48BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16DBLL-70BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 1M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-55BLIISSIPSRAM Async 16M-bit 1M x 16 55ns 48-Pin TFBGA
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.65 EUR
26+6.77 EUR
27+6.41 EUR
100+5.53 EUR
250+5.33 EUR
480+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-55BLIISSIPSRAM Async 16M-bit 1M x 16 55ns 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-55BLIISSISRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v~3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-55BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-55BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 1M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-55BLI-TRISSISRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v~3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-55BLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-55BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-55BLI-TRISSIPSRAM Async 16M-bit 1M x 16 55ns 48-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-70BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.5÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-70BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.52 EUR
10+11.66 EUR
25+11.3 EUR
50+11.04 EUR
100+10.78 EUR
480+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-70BLIISSIPSRAM Async 16M-bit 1M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-70BLIISSISRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.24 EUR
10+14.22 EUR
25+13.78 EUR
50+13.15 EUR
100+12.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-70BLI-TRISSISRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-70BLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.5÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV1M16EBLL-70BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV25616BLL-55BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 4MBIT PAR 48MINIBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV25616BLL-55TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV25616BLL-55TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216BLL-55BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PAR 48MINIBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216BLL-55BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216BLL-55TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216BLL-55TLI
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216BLL-55TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-55BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-55BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-55TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-55TLIISSISRAM 8Mb 512K x 16 55ns Pseudo SRAM 2.5-3.6v
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-55TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-55TLI-TRISSISRAM 8Mb 512K x 16 55ns PSRAM 2.5v-3.6v
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-70BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-70BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-70TLIISSISRAM 8Mb 512K x 16 70ns Pseudo SRAM 2.5-3.6v
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-70TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-70TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216DBLL-70TLI-TRISSISRAM 8Mb 512K x 16 70ns PSRAM 2.5v-3.6v
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EALL-70BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EALL-70BLIISSISRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EALL-70BLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 1.7÷1.95V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 1.7...1.95V
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EALL-70BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EALL-70BLI-TRISSISRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55TLIISSIPSRAM Async Single Port 8M-bit 512K x 16 60ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+7.2 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55TLIISSISRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.04 EUR
10+10.28 EUR
25+9.97 EUR
50+9.73 EUR
100+9.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55TLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.31 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.65 EUR
10+14.55 EUR
25+14.11 EUR
50+13.78 EUR
135+13.3 EUR
270+12.97 EUR
540+12.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 55ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55TLIISSIPSRAM Async Single Port 8M-bit 512K x 16 60ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55TLI-TRISSISRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,55ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55TLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 55ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-55TLI-TRISSIPSRAM Async Single Port 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WV51216EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70BLIISSIPSRAM Async Single Port 8M-bit 512K x 16 70ns 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70BLIISSISRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
auf Bestellung 1576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.78 EUR
10+5.4 EUR
25+5.24 EUR
50+5.13 EUR
100+5.01 EUR
250+4.74 EUR
480+4.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70BLI-TRISSIPSRAM Async Single Port 8M-bit 512K x 16 70ns 48-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70BLI-TRISSISRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70BLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 70ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70TLIISSIPSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Мікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70TLIISSIPSRAM Async Single Port 8M-bit 512K x 16 70ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70TLIISSISRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.42 EUR
10+9.72 EUR
25+9.45 EUR
50+9.2 EUR
100+8.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.39 EUR
10+10.61 EUR
25+10.29 EUR
50+10.06 EUR
135+9.71 EUR
270+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70TLI-TRISSIPSRAM Async Single Port 8M-bit 512K x 16 70ns 44-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70TLI-TRISSISRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.01 EUR
10+12.1 EUR
25+11.75 EUR
50+11.21 EUR
100+10.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WV51216EBLL-70TLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 70ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16ALL-7010BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16EALL-7010BLIISSISRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+8.29 EUR
25+8.1 EUR
100+7.66 EUR
250+7.35 EUR
2880+6.66 EUR
5280+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16EALL-7010BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16EALL-7010BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 1.7÷1.95V; 70ns; VFBGA54
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Operating voltage: 1.7...1.95V
Access time: 70ns
Case: VFBGA54
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16EALL-7010BLIISSIPSRAM Async Single Port 32M-bit 2M x 16 70ns 54-Pin VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TRISSIPSRAM Async Single Port 32M-bit 2M x 16 70ns 54-Pin VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TRISSISRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v~1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16ECLL-7010BLIISSIPSRAM Async Single Port 32M-bit 2M x 16 70ns 54-Pin VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16ECLL-7010BLIISSISRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.03 EUR
10+13.07 EUR
25+12.67 EUR
50+12.35 EUR
100+12.07 EUR
250+11.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16ECLL-7010BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.98 EUR
10+15.79 EUR
25+15.32 EUR
50+14.95 EUR
100+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16ECLL-7010BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 1.7÷1.95/2.7÷3.6V; 70ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Operating voltage: 1.7...1.95/2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: VFBGA54
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TRISSISRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v~1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS66WVC4M16ALL-7010BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 64MB 70NS 54BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
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IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 64MB 70NS 54BGA
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IS66WVC4M16EALL-7010BLIISSIPSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 54-Pin VFBGA
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IS66WVC4M16EALL-7010BLIISSISRAM Pseudo SRAM 64Mb
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IS66WVC4M16EALL-7010BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 1.7÷1.95V; 70ns; VFBGA54
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 64Mb SRAM
Memory organisation: 4Mx16bit
Operating voltage: 1.7...1.95V
Access time: 70ns
Case: VFBGA54
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
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IS66WVC4M16EALL-7010BLIISSIPSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 54-Pin VFBGA
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IS66WVC4M16EALL-7010BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS66WVC4M16EALL-7010BLIISSIPSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 54-Pin VFBGA
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IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TRISSISRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
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