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SI4842BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4842BDY-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
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SI4842BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
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SI4842BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4842BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
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SI4842BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
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4+6.14 EUR
10+3.99 EUR
50+3.07 EUR
100+2.77 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI4842BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4842BDYT1E3VISHAY
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SI4842DYVISHAYSO-8
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SI4842DYVishay SiliconixТранзистори
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SI4842DY-T1
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Si4842DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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Si4842DYT1E3VISHAY
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SI4844
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SI4844-A10-GUSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 24-Pin SSOP
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 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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SI4844-A10-GUSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver FM/AM/SW with mechanical tuning/digital display
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SI4844-A10-GUSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Not For New Designs
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 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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SI4844-A10-GUSilicon LabsSSOP 24/?15 TO 85°/CONSUMER ELECTRONICS. ENHANCED AM/FM/SW RX FOR MECHANICA SI4844SSOP
Anzahl je Verpackung: 56 Stücke
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SI4844-A10-GURSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Not For New Designs
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4844-A10-GURSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 24-Pin SSOP T/R
auf Bestellung 112345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4844-A10-GURSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 24-Pin SSOP T/R
auf Bestellung 112345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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SI4844-A10-GURSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM/SW RX for mechanical tuned digital display radios, 24p SSOP, lead free
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SI4844-B-DEMOSilicon LabsRF Development Tools Consumer Electronics AM/FM/SW EVB
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI4844-B-DEMOSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVAL SI4844-B
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Si4844-B
Type: Tuner
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si4844
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
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SI4844-B20-GUSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver AM/FM/SW Radio Receiver
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+7.14 EUR
25+6.5 EUR
112+6.03 EUR
280+5.71 EUR
504+5.59 EUR
1008+5.43 EUR
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SI4844-B20-GUSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.52 EUR
10+7.38 EUR
56+6.64 EUR
112+6.38 EUR
280+6.06 EUR
504+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI4844-B20-GUSilicon LabsSSOP 24/-15 TO 85°/ENHANCED AM/FM/SW RX FOR MECHANICAL TUNED DIGITAL DISPLA SI4844SSOP
Anzahl je Verpackung: 56 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4844-B20-GURSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver AM/FM/SW Radio Receiver
auf Bestellung 4127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.2 EUR
10+6.94 EUR
25+6.37 EUR
100+5.74 EUR
250+5.46 EUR
500+5.4 EUR
1000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4844-B20-GURSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4844-DEMOSkyworks Solutions Inc.Description: SI4844 EVAL AND DEMO BOARD
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Si4844
Type: Tuner
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si4844
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
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SI4844-DEMOSilicon LabsCONSUMER ELECTRONICS AM/FM/SW EVB, 24P SSOP, USE FOR SI4840-A10 OR SI4844-A DEMO
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4845SISOP-8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4845DYVISHAY09+
auf Bestellung 3118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4845DY-T1
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4845DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4845DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4845DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4845DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4848ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
187+1.25 EUR
269+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.06 EUR
170+1.04 EUR
253+0.68 EUR
266+0.63 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
7500+0.45 EUR
12500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 17389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.61 EUR
10+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.52 EUR
165+1.04 EUR
168+0.99 EUR
170+0.94 EUR
253+0.61 EUR
266+0.55 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
187+1.25 EUR
269+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
auf Bestellung 13184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.81 EUR
184+1.26 EUR
243+0.88 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.81 EUR
184+1.26 EUR
243+0.88 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V
auf Bestellung 3087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+1.05 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.5 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
19+1.13 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DYVishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DYVISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.14 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
auf Bestellung 8817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.25 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
81+2.88 EUR
100+2.14 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.92 EUR
103+1.71 EUR
110+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.2 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 17350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.4 EUR
100+1.87 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.27 EUR
5000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3
Produktcode: 115193
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.51 EUR
5000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.68 EUR
66+3.52 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 7042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.12 EUR
5000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
auf Bestellung 6770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.52 EUR
100+1.88 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.23 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4848DY-T1-GE3 SI4848DY-T1-E3 SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI485ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; SOT32; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; 4kV
Type of heat transfer pad: silicone
Application: SOT32
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 7.9x11.1mm
Material: glass fiber reinforced silicone
Mounting: screw
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850PHI09+ SOP8
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 5155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.15 EUR
96+2.44 EUR
143+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3
Produktcode: 223065
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.81 EUR
233+0.74 EUR
235+0.7 EUR
244+0.65 EUR
250+0.61 EUR
253+0.58 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
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8+2.95 EUR
12+1.87 EUR
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100+1.25 EUR
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SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
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233+0.76 EUR
235+0.75 EUR
244+0.7 EUR
250+0.68 EUR
253+0.65 EUR
500+0.63 EUR
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SI4850BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 4.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
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2+2.89 EUR
10+1.37 EUR
100+1.23 EUR
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5000+0.74 EUR
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SI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
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2500+0.84 EUR
7500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
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100+2.44 EUR
143+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4850DYVISHAY09+
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SI4850DY-T1-E3SILICONIXSOP8 05+
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SI4850DYT1VISHAY07+ SO-8
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