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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N5089 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 36987
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 50 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 25 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,05 A
Stromverstärkung h21: 1200
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
auf Bestellung 6747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.18 EUR
100+0.73 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 12784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300...900
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+0.54 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+0.95 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089BUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089GonsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089TAonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089TAFairchild
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089TARonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089TA_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN 25V 100mA HFE/12
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089TFonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089TFRonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5089_J18ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N508AMOTOROLA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N509MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5090Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5091MOTCAN
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5091Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5092MOTCAN
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5092Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5093MOTCAN
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5093MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5094MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5094MOTCAN
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5095Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 500V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5095MOTCAN
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5096Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT PNP Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5096MOTCAN
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5097MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5097MOTCAN
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5098MOTCAN
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5098Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5099MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5099Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 800V 1A TO5
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-5
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5099MOTCAN
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5099AMOTOROLA
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N509AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N50EPH09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N51CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N510MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5103MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5104MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5105MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5106MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5106AMOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5107MOTOROLA
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5108MOTOROLA
auf Bestellung 15500 Stücke:
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2N5109CentralsemiTO-5 Транзистори
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2N5109Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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2N5109Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB
Power - Max: 2.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N5109MICROSEMIAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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2N5109 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31239
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Central SemiconductorTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-39
Transitfrequenz fT: 1,2 GHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 20 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,4 A
Stromverstärkung h21: 120
Bemerkung: 1Wt
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2N5109 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Wide Bd AM
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2N5109 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-39
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
Frequency - Transition: 1.2GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Power - Max: 1W
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N5109 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN RF 40Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 400mA 1.0W
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2N5109JANIR
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2N5109JANTXIR
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2N5109UBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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2N5109UB BKCentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: UB
Part Status: Obsolete
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2N510AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
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2N511MOTOROLA
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2N5110MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2N5111MOTOROLA
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2N5112MOTOROLA
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2N5113MOTOROLA
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2N5114Microchip TechnologyJFETs JFET
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2N5114Microchip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V TO18
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Power - Max: 500 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5114MOTCAN3
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2N5114InterFETJFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
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1+38.08 EUR
10+29.01 EUR
100+24.13 EUR
500+21.52 EUR
1000+20.11 EUR
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2N5114Vishay SemiconductorsJFETs 30V 10pA
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2N5114Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2N5114Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5114 TO-18 3LLinear Integrated Systems, Inc.Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
auf Bestellung 10 Stücke:
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2+15.18 EUR
10+13.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N5114 TO-18 3L ROHSLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 172 Stücke:
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2+14.77 EUR
10+10.03 EUR
100+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N5114-E3InfineonТранзистори
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2N5114-E3Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2N5114E3MicrosemiTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5114JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Tube
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2N5114JTVL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Tube
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2N5114JTX02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Tube
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2N5114JTXL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Tube
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2N5114JTXV02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
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2N5114UBMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UB
Grade: Military
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Power - Max: 500 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: UB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Qualification: MIL-PRF-19500
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2N5114UBMicrochip TechnologyJFETs JFET
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