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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.86 EUR
50+9.83 EUR
100+9.06 EUR
500+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.33 EUR
10+12.55 EUR
100+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.83 EUR
10+9.29 EUR
25+9.28 EUR
100+8.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 6110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.41 EUR
10+12.35 EUR
30+10.28 EUR
270+9.07 EUR
510+8.16 EUR
1020+7.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.71 EUR
30+6.64 EUR
120+5.52 EUR
510+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+5.26 EUR
120+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.95 EUR
31+5.32 EUR
50+4.89 EUR
100+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+8.97 EUR
100+8.06 EUR
250+7.81 EUR
500+6.6 EUR
1000+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.45 EUR
50+7.21 EUR
100+6.6 EUR
500+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350m,1200V, TO-263-7, Industrial
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+6.09 EUR
100+5.55 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+8.97 EUR
100+7.88 EUR
250+7.52 EUR
500+6.26 EUR
1000+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.95 EUR
31+5.52 EUR
50+5.16 EUR
100+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 40.8W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 525mΩ
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.97 EUR
10+7.34 EUR
100+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 7.2A; 40.8W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 40.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Drain current: 7.2A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.4A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170DWolfspeed SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3, Industrial
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170J-TRWolfspeed SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.69 EUR
10+7.08 EUR
100+6.01 EUR
500+5.34 EUR
800+4.57 EUR
2400+4.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170MWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170MWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-3PF-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.84 EUR
30+5.51 EUR
120+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170MWolfspeed SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3PF, Industrial
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+7.44 EUR
30+5.26 EUR
120+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170MWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M3000000000000NBAdvanced Energy / ExcelsysModular Power Supplies 3000W Fan cooled Standard CoolPac, Screw terminal, Normal leakage, 6 slots, 5V Aux , must be used with CoolX Mod
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M580000L002ABRACONAbracon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3MTGFOOTHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories MTG FOOT KIT W/ HARDWARE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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