Produkte > CSD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16415Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -12...16V On-state resistance: 1.8mΩ Power dissipation: 156W Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Pulsed drain current: 200A Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 9250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V | auf Bestellung 4406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 25V NexFET N Ch Pwr MosFET | auf Bestellung 3229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16556Q5B | Texas Instruments | CSD16556Q5B N-Channel 25V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6) Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | auf Bestellung 1635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 25-V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD16570Q5BT | auf Bestellung 3196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BG4 | Texas Instruments | MOSFETs 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 0.82 mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 490 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 85 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT Produktcode: 196756
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | auf Bestellung 1635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B | auf Bestellung 10537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 95nC On-state resistance: 0.68mΩ Dimensions: 5x6mm Power dissipation: 195W Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 490 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 85 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17301Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 2157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V | auf Bestellung 12928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V | auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V | auf Bestellung 17413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17302Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 1784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17303Q5 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 3381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17303Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3420 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 2,4 мОм, Ugs(th) = 1,6 В, Р, Вт = 3,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: VSON-CLIP-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | verfügbar 1398 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Description: CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V | auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V | auf Bestellung 4770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17304Q3 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 7502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V | auf Bestellung 2698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17305Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 3.1W; VSONP8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 3.1W Case: VSONP8 On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 3489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 2524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17306Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1 Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V | auf Bestellung 3588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.1 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 165396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | auf Bestellung 165396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | auf Bestellung 4073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 1925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 3.3x3.3mm Pulsed drain current: 167A | auf Bestellung 1189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; CSD17308Q3T CSD17308Q3 TCSD17308q3 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17308Q3T | auf Bestellung 15171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | auf Bestellung 12953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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