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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| DTC114ECAHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114ECAHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist | auf Bestellung 35856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 6490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1471 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 6490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1316 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114ECAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 200/350mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 30 | auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 1587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 30 | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 18382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 1587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 18382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114ECAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DTC114EKAT146 IS PREFERRED | auf Bestellung 2546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.15W; SOT523; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.15W Frequency: 250MHz | auf Bestellung 16275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EE | Yangjie Electronic Technology | DTC114EE | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EE | Yangjie Technology | Description: SOT-523 NPN 0.15W 0.1A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EE | onsemi | SS SC75 BR XSTR NPN 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EE | ON | SOT523 | auf Bestellung 212560 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EE RK | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EE TL | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 9832 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-523 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 50Vcc 50mA 1mA 100mA 150mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EE-TP | Micro Commercial Components | DIGITAL TRANSISTORS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-523 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 8681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 321 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 16318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | auf Bestellung 39505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | auf Bestellung 4836 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | auf Bestellung 8924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Transistormontage: Oberflächenmontage Produktpalette: DTC114E SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 1729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | auf Bestellung 4466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | auf Bestellung 4466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EEFRATL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Trans Digital BJT NPN 100mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 4355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 1934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EEFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC75A; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.15W Current gain: 30 Frequency: 250MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 4355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 4795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EEPT | CHENMKO | 05+ SOT-523 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EET1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 156000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EET1 | ON Semiconductor | auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| DTC114EET1 | onsemi | Description: TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | auf Bestellung 156000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EET1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EET1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EET1 - DTC114EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 156000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 29550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 133 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 133 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | auf Bestellung 97280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EET1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2/0.3W Current gain: 35...60 | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EET1G | On Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75, SOT-416 Транзистори | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 29598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 132 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 35 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC75/SOT-416 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 29814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EETL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: EMT Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 20238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 152141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 12700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 152141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EETL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: EMT Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 20238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 77141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 13734 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 84 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 50MA SOT-416 | auf Bestellung 47243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC114EETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC75A; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.15W Current gain: 30 Frequency: 250MHz | auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EK | ROHM | 09+ | auf Bestellung 483038 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
