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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQB6N70TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
109+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N70TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N80fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N80TMonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N80TMONS/FAIMOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.17 EUR
88+1.84 EUR
100+1.56 EUR
250+1.44 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N90FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N90TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N90TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6P25FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB70N08fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB70N08TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB70N08TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB70N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
158+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB70N10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB70N10TMFairchild
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB70N10TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB70N10TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N10LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N10TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 952 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N20LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N20TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N30fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 10034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
386+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N30TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N40FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N60fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB7N60TM - MOSFET, N, SMD, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
118+1.99 EUR
152+1.42 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
233+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N60TMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N60TMFairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N60TM-WSFairchild SemiconductorDescription: FQB7N60 - MOSFET N-CHANNEL SINGL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
307+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
auf Bestellung 800800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N65Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N65CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 173W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
auf Bestellung 7686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N65CTMFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N80FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N80TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7N80TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P06fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P06TMonsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
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FQB7P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB7P06TM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
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FQB7P06TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 566 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20ON Semiconductor / FairchildMOSFET QF -200V 0.69OHM D2PAK
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FQB7P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20TMFairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 7.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20TM
Produktcode: 177221
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
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FQB7P20TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB7P20TM_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 7.3A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.37 EUR
129+1.3 EUR
131+1.24 EUR
134+1.17 EUR
250+1.11 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20TM_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 7.3A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8447Lfairchild07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB85N06FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB85N06TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 42.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V
auf Bestellung 21566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
211+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB85N06TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 42.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8876fairchild07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N25fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N25TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 20920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
384+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60Consemi / FairchildMOSFETs QFC 600V 1.2OHM D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CFTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CFTMFAIRCHILDFQB8N60CFTM
auf Bestellung 1332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CFTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
176+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 120300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.55 EUR
36+4.78 EUR
37+4.38 EUR
100+4.06 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.5 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.01 EUR
10000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 69-73 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+3.94 EUR
25+3.75 EUR
100+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 26400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.5 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.01 EUR
10000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.5 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTMON Semiconductor
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 120300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.55 EUR
36+4.89 EUR
37+4.55 EUR
100+4.28 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N90CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N90CTMonsemi / FairchildMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, QFET, 900 V, 6.3 A, 1.9 ?, D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N90CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 171W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N90CTMonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, QFET, 900 V, 6.3 A, 1.9 ?, D2PAK
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.63 EUR
100+3.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8P10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8P10TMFAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8P10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 13835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+2.73 EUR
100+2.14 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
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