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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
PMV42ENERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
35+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV42ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV42ENERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEANexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEA215NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 34380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
73+0.24 EUR
157+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2097+0.07 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 2097 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V .8A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.053 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.063 EUR
9000+0.056 EUR
21000+0.055 EUR
30000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.053 EUR
6000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1972+0.061 EUR
2097+0.055 EUR
3000+0.051 EUR
6000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1972 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45ENNXP07+ SOP16
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2NexperiaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2-MLMOSLEADERDescription: N 30V 5.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
307+0.057 EUR
1000+0.056 EUR
3000+0.052 EUR
6000+0.051 EUR
15000+0.05 EUR
30000+0.048 EUR
75000+0.045 EUR
150000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+0.099 EUR
24000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+0.1 EUR
24000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
605+0.24 EUR
1008+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNXPTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2R
Produktcode: 187508
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
605+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2VLNexperiaMOSFETs 20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2VLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2VLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.115W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2VLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP
Produktcode: 143394
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPNexperiaMOSFETs
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PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
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PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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472+0.31 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.21 EUR
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PMV48XP,215NexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.5A
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4+0.85 EUR
10+0.51 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.16 EUR
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PMV48XP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 21421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
34+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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3000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A; 930mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PMV48XP/MI215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP/MIRNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP/ZLRNexperia USA Inc.Description: PMV48XP/ZLR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
49+0.37 EUR
100+0.21 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1877+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1877 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.049 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
749+0.2 EUR
1071+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 749 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.049 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.54 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
756+0.19 EUR
1080+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 756 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.26 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
24000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
34+0.52 EUR
100+0.38 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.61 EUR
281+0.5 EUR
284+0.48 EUR
378+0.35 EUR
382+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperiaMOSFETs PMV48XPA/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 15576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.57 EUR
100+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
24000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.51 EUR
378+0.38 EUR
382+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPVLNexperiaMOSFETs 30V, N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 5568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.56 EUR
100+0.38 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.22 EUR
2500+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPVLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPVLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
30+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50ENEARNexperiaMOSFETs PMV50ENEA/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 25995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.47 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNexperiaMOSFET PMV50EPEA/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 115502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV50EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
auf Bestellung 11330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+0.58 EUR
340+0.42 EUR
371+0.37 EUR
774+0.17 EUR
799+0.16 EUR
821+0.15 EUR
1069+0.11 EUR
3000+0.095 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50UN
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50UPE,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV50UPE,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 955mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50UPE,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
33+0.55 EUR
50+0.4 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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