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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PMV42ENERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV42ENERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
34+0.62 EUR
50+0.45 EUR
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV42ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV42ENERNexperiaMOSFETs PMV42ENE/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+1.05 EUR
100+0.67 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEANexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEA215NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.65 EUR
747+0.31 EUR
1475+0.14 EUR
1613+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
384+0.65 EUR
747+0.31 EUR
1475+0.14 EUR
1613+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV450ENEARNexperiaMOSFETs PMV450ENEA/SOT23/TO-236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45ENNXP07+ SOP16
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN-TRNexperia USA Inc.Description: PMV45EN-T/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
58+0.37 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN-TRNexperia USA Inc.Description: PMV45EN-T/SOT23/TO-236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN-TRNexperiaPMV45EN-TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2NexperiaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2-MLMOSLEADERDescription: N 30V 5.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
307+0.068 EUR
1000+0.067 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.061 EUR
15000+0.06 EUR
30000+0.057 EUR
75000+0.054 EUR
150000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
288+0.87 EUR
391+0.6 EUR
610+0.36 EUR
885+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 288 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperiaMOSFETs PMV45EN2/SOT23/TO-236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNXPTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1115mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2R
Produktcode: 187508
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
288+0.87 EUR
391+0.6 EUR
610+0.36 EUR
885+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 288 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2VLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2VLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.115W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2VLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2VLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2VLNexperiaMOSFETs 20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV45EN2VLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP
Produktcode: 143394
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.81 EUR
227+1.02 EUR
355+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A; 930mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.81 EUR
227+1.02 EUR
355+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
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PMV48XP,215NexperiaMOSFETs PMV48XP/SOT23/TO-236AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP/MI215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP/MIRNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XP/ZLRNexperia USA Inc.Description: PMV48XP/ZLR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.049 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNexperiaMOSFETs PMV48XPA2/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.96 EUR
100+0.69 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.049 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPA2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperiaMOSFETs PMV48XPA/SOT23/TO-236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
243+0.95 EUR
358+0.6 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
243+0.95 EUR
358+0.6 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPARNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPVLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPVLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPVLNexperiaMOSFETs PMV48XP/SOT23/TO-236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50A575LOVATO ELECTRICCategory: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Type of automation module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: SPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 380...575V AC
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+254.51 EUR
3+242.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50ENEARNexperiaMOSFETs PMV50ENEA/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 25995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.56 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
auf Bestellung 11330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+0.69 EUR
340+0.49 EUR
371+0.43 EUR
774+0.2 EUR
799+0.19 EUR
821+0.17 EUR
1069+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV50EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+0.68 EUR
484+0.48 EUR
700+0.31 EUR
776+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50EPEARNexperiaMOSFET PMV50EPEA/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 115502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50UN
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50UPE,215NexperiaMOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 14925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.68 EUR
100+0.43 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50UPE,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
33+0.65 EUR
50+0.48 EUR
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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PMV50UPE,215
Produktcode: 215731
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NexperiaTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Id, A: 3,7 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 50 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 24/10,5
Anmerkung: 20 V, einzelner P-Kanal Trench-MOSFET
Montage: SMD
auf Bestellung: 25 St.
  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50UPE,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PMV50UPE215Rochester Electronics, LLCDescription: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50UPEVLNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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PMV50UPEVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50UPEVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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PMV50XNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 29900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2298+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2298 Stücke
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PMV50XNEARNexperia USA Inc.Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50XNEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+0.71 EUR
488+0.48 EUR
794+0.27 EUR
1061+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
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