Produkte > RS6
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| RS6P060BHTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 34 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RS6P100BGTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS6P100BGTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RS6P100BGTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6P100BHTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V | auf Bestellung 1272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6P100BHTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 100V 100A | auf Bestellung 1198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS6R035BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6R035BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6R035BHTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RS6R035BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RS6R035BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc) | auf Bestellung 2354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS6R035BHTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 150V 35A N CHAN | auf Bestellung 4873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS6R035BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6R035BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6R035BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RS6R035BHTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS6R060BHTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET | auf Bestellung 3871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6R060BHTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| RS6R085CHTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 N-CH 150V 85A | auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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