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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN4NF03L (ST)
Produktcode: 14725
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,039 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/6,5
Montage: SMD
verfügbar: 50 St.
  • 50 St. - stock Köln
auf Bestellung: 271 St.
  • 271 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+0.5 EUR
10+0.46 EUR
100+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
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STN4NF03L-TRST
auf Bestellung 40518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STN4NF06LSTMicroelectronicsMOSFETs N-CH 60V 4A STripFET
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.15 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.71 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF06LSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.9A; Idm: 16A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN4NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN4NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN4NF20LSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 1A; 3.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF20LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
225+1.04 EUR
276+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.37 EUR
174+0.99 EUR
176+0.94 EUR
260+0.61 EUR
265+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.02 EUR
176+1 EUR
260+0.67 EUR
265+0.63 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF20LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
50+0.92 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.96 EUR
193+0.89 EUR
195+0.86 EUR
271+0.58 EUR
275+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF20LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
180+1.3 EUR
276+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.95 EUR
194+0.9 EUR
196+0.88 EUR
273+0.62 EUR
278+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF20LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II
auf Bestellung 3773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+0.84 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.43 EUR
8000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF20LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF30L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN50-GABB Installation Products PVC CTD STR INSUL CONN 1/2IN GRAY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN5PF02VSTMSOT223 STM Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN5PF02V
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN5PF02VSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN5PF02VSTMicroelectronicsMOSFET P-Ch 20 Volt 4.6 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN5PF02VSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6.2NROHMSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6.8N
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6562
auf Bestellung 123800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN659
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN690ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN690ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT223
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN690ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT223
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6N60M2STMMOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.5A; Idm: 8A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.25Ω
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 6.2nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6NE06-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6NF10-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN715STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN715onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN715STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN724STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN724STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN724STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN724
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN749
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN749STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 25V 3A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN749STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LED SINK DRIVER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN749STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 25V 3A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN749onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN790ASTMPNP 60V 3A 1.6W SOT-223, HIGH PERFORMANCE,LOW VOLTAGE Транзистори
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN790ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 3A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
3000+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN790ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT POWER MOSFET
auf Bestellung 6909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.39 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN790ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN790A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
191+1.21 EUR
231+0.93 EUR
293+0.74 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN790ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN790ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 3A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 6796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
18+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN790ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN790A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
191+1.21 EUR
231+0.93 EUR
293+0.74 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN790A-EST08+ TO-223
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN790A-TR
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN7NF10STTO-223
auf Bestellung 3855 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN815
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN817
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN817ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN817AST
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN817ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP MEDIUM Pwr TRANSISTOR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN8205D
auf Bestellung 123800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN83003 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
201+1.15 EUR
241+0.89 EUR
303+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor
auf Bestellung 7217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003STMNPN 400V 1.0A SOT-223 FOR BALLAST Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 139000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.43 EUR
2000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
7000+0.31 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN83003 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
201+1.15 EUR
241+0.89 EUR
303+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1.5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.46 EUR
2000+0.43 EUR
3000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
7000+0.36 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003STMicroelectronicsТранзистор NPN, Uceo, В = 400, Ic = 1,5 А, hFE = 16 @ 350 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 500 мА, Р, Вт = 1,6, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 139000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.43 EUR
2000+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
5000+0.31 EUR
7000+0.29 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1.5A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 12330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
21+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003
Produktcode: 187367
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003 ST MICROELECTRONICSSTNPN 400V 1.5A 1.6W STN83003 TSTN83003
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN851STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.57 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN851STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 5818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN851STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.68 EUR
2000+0.58 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN851STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Lo-Volt Fast Sw
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.36 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN851
Produktcode: 86631
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN851STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.57 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN851STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
127+1.83 EUR
152+1.4 EUR
200+1.12 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN851STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.7 EUR
2000+0.64 EUR
3000+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN851STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Current gain: 30...350
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STN851STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN851onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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STN851 JSMICROJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 350; 1,6W; 60V; 5A; 130MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: STN851 STMicroelectronics; STN851 TSTN851 JSM
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STN851 SOT223 STMicroelectronicsSTTransistor NPN; 350; 1,6W, 60V; 5A; 130MHz, -65°C ~ 150°C; STN851 TSTN851
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STN851-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low voltage NPN Power Transistor
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STN851-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
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