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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIA906EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 47417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA906EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA906EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA906EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.33 EUR
21000+0.32 EUR
30000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA906EDJ-T1-GE3 SIA923EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA906EDJ-T5-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA907EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA907EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
auf Bestellung 3593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
24+0.88 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA907EDJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III Транзистори
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
auf Bestellung 110643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.2 EUR
100+1.46 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
3000+1 EUR
6000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA907EDJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA910EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA910EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 170024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.8 EUR
100+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA910EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA910EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 50423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA910EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA910EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+0.48 EUR
395+0.43 EUR
398+0.4 EUR
442+0.36 EUR
447+0.33 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA910EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA911ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 6.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA911ADJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 4.5A 6.5W
auf Bestellung 4131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA911DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA911DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA911DJ-T1-E3
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA911DJ-T1-GE3
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA911DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 6.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA911DJ-T5-GE3
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA911EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA911EDJ-T1-GE3
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA911EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA912DJ
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA912DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA912DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA912DJ-T1-GE3
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA913ADJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
auf Bestellung 5149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA913ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 6.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
25+0.87 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA913ADJ-T1-GE3
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA913ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 6.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIA913DJ-T1-E3
auf Bestellung 50 Stücke:
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SIA913DJ-T1-GE3
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIA913DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIA914ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
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SIA914ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA914ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
auf Bestellung 8352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SIA914ADJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 43mOhom@4.5V 4.5A Dual N-CH
auf Bestellung 7235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA914DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIA914DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
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SIA914DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
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SIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
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SIA914DJ-T1-GE3CT
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIA915DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIA917DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
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SIA917DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA917DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA918EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA918EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 4259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.67 EUR
100+0.45 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA918EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA918EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
25+0.86 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA920DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 4064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA920DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA921EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
6000+0.45 EUR
9000+0.43 EUR
15000+0.42 EUR
21000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA921EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA921EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
auf Bestellung 28761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA921EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 64927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+1.09 EUR
100+0.75 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA921EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA921EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA921EDJ-T4-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+1.05 EUR
100+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
auf Bestellung 5651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
auf Bestellung 5651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 6917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH
auf Bestellung 6556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.39 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 25342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.98 EUR
10+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 35527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
auf Bestellung 3123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 35527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923EDJ-T4-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+1.06 EUR
100+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA928DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA928DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ
auf Bestellung 8618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA928DJ-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® SC70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 7.8W
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 33mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA928DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA929DJ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA929DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA929DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 8436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA929DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA929DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 24578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA929DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.29 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA931DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
auf Bestellung 17127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA931DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 261096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.77 EUR
100+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA931DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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