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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MURSD8120A-TPMicro Commercial ComponentsSuper Fast Recovery Rectifiers
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.88 EUR
250+0.77 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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MURSD8120A-TPMicro Computer ControlMURSD8120A-TP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD8120A-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers SUPER FAST RECTIFIERS 1200V 8A, DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD8120A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD8120A-TPMicro Commercial ComponentsSuper Fast Recovery Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD8120A-TPMicro Commercial ComponentsSuper Fast Recovery Rectifiers
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD820A-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 8.0A 200Vr 140Vrms 200V 100A 1.0Vf
auf Bestellung 4989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD820A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE STANDARD 200V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD820A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE STANDARD 200V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD840A-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK (TO-252)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD840A-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 8A/600V FRED Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD860A-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
auf Bestellung 4356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
18+1.21 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD860A-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 8.0A 600Vr 420Vrms 600V 100A 1.6Vf
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+1.14 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD860A-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD860B-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD860B-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
20+1.05 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD860B-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD860H-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK (TO-252)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURSD860H-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 8A/600V FRED Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10005GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10005GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 50V 50A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10005RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 50V 50A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10005RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010GeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP 200V 50A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020GeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP 600V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT1060FAT_T0_00001PanjitRectifiers PEC/MURT1060FAT/TP//HF/0.05K/ITO-220AB/ER/TO/ER-100FATWH/ER100FATW-QI01/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT1060FCT_T0_00001PanjitRectifiers PEC/MURT1060FCT/TP//HF/0.05K/ITO-220AB/ER/TO/ER-100FCTWH/ER100FCTW-QI01/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005GeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 200A 90ns 3-Pin Three Tower
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MURT20040GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
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MURT20060GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Three Tower
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 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MURT30005GeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
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MURT30005GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010RGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
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MURT30020GeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MURT30020GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MURT30020RGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MURT30020RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MURT30040GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURT30040GeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MURT30040RGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MURT30040RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURT30060GeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
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MURT30060GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
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MURT30060RGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MURT30060RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
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MURT40005GeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
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MURT40005GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
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MURT40005RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40005RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
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MURT40010GeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40010GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40010RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40010RGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40020GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40020GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40020RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40020RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40040GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40040GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40040RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40040RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
auf Bestellung 39 Stücke:
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10+239.8 EUR
25+228.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40060GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
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