Produkte > 2SA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| 2SAR552PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -30V -3A, Middle Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR552PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR552PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 30 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 200 hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR552PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR552PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT I2C BUS 1Kbit EEPROM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR552PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 3A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR552PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 3A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR553P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR553P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3 | auf Bestellung 2737 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR553P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR553PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 2A MPT3 | auf Bestellung 962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR553PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -2A 180 to 450hFE -50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR553PFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR553PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 2A MPT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR553PFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR553PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 2A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR553PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 2A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR553PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V 2A SOT89 BJT TRANS | auf Bestellung 6193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR553PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR553PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 3A Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR553PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR553PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR553PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR553PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR553PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 47 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR553RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR553RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 1W Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR553RHZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-346T, -20V -50A, Middle Power Transistor for Automotive | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR553RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TSMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR553RTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Load Switch ICs for Portable Equipment | auf Bestellung 5074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR553RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 2A TSMT3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR554P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3 | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR554PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 1.5A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 340MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR554PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -1.5A 120 to 390hFE -80V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR554PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 1.5A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 340MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR554PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 340MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR554PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1.5A Übergangsfrequenz: 340MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 826 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR554PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -80V -1.5A, Medium Power Transistor | auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR554PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 340MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR554PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 340MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 826 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR554PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 1.5A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 340MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR554PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 80V 1.5A 4PIN MPT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR554RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR554RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TSMT3 | auf Bestellung 2497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR554RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR554RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR554RTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Digital Transtr Driver | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR554RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TSMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR554RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 4311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR562F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 6A HUML2020L3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: HUML2020L3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR562F3TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -6A Ic -30V Vceo HUML2020L3 | auf Bestellung 3510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR562F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 6A 3-Pin HUML EP T/R | auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR562F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 6A HUML2020L3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: HUML2020L3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR562F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 6A 3-Pin HUML EP T/R | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR563F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 6A HUML2020L3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR563F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 6A HUML2020L3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR563F3TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Small and Excellent Thermal Conductivity, PNP -6A -50V Middle Power Transistor | auf Bestellung 4870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR564F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR564F3TR | ROHM | Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR564F3TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 4A MID-PWR | auf Bestellung 5103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR564F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR564F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR564F3TR | ROHM | Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 2.1W Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 4A Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR564F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR564F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR567F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 2.5A HUML2020L3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR567F3TR | ROHM | Description: ROHM - 2SAR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR567F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 2.5A HUML2020L3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR567F3TR | ROHM | Description: ROHM - 2SAR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR567F3TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 120V 2.5A DF2020 BJT PNP TRA | auf Bestellung 5645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR572D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR572D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 5A TO252 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR572D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR572D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -30V -5A, Power Transistor | auf Bestellung 3999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR572D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 10W Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 5A Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR572D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR572D3FRATL Produktcode: 172761
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SAR572D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 5A TO252 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR572D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 5A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 6583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR572D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE | auf Bestellung 3058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR572D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 10W Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 5A Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR572D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 5A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR572D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR572D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR572D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR572DGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 5A CPT3 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: CPT3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR572DGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 5A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: CPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR572DGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT I2C BUS 8Kbit EEPROM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR573D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 10W euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR573D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR573D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR573D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -3A, Power Transistor | auf Bestellung 6739 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR573D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR573D3FRATL Produktcode: 176446
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
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| 2SAR573D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR573D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR573D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 3A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SAR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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