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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMBT2907ALT1Infineon TechnologiesDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT2907ALT1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1onsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1On SemiconductorPNP, Uкэ=60V, Iк=0.6A, h21=50...300, 200МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1 SOT23-2FON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1 2FN/A07+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1(2F)fsc
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT12F
auf Bestellung 354000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT12F100-300
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G
Produktcode: 25960
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 60 V
Strom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21, max: 300
verfügbar: 150 St.
  • 150 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5721 St.
  • 5721 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.058 EUR
10+0.043 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3206+0.079 EUR
9000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GOn SemiconductorSOT23 Транзистори
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3447000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9175+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 9175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3447000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9175+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 9175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
603+0.42 EUR
1205+0.19 EUR
1670+0.13 EUR
2326+0.092 EUR
2755+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 603 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 441000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GON SemiconductorТранзистор PNP, Uceo, В = -60, Ic = -600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 1740 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.6A
auf Bestellung 13550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.13 EUR
910+0.094 EUR
1289+0.065 EUR
1507+0.056 EUR
1866+0.045 EUR
2041+0.042 EUR
2315+0.037 EUR
2393+0.036 EUR
3000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
678+0.26 EUR
991+0.17 EUR
1143+0.14 EUR
1713+0.092 EUR
1793+0.084 EUR
2353+0.062 EUR
2681+0.051 EUR
7813+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 678 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GON-SemiconductorTransistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT290 MMBT2907ALT1G TMMBT2907alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2353+0.075 EUR
2681+0.064 EUR
7813+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 2353 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
603+0.42 EUR
1205+0.19 EUR
1670+0.13 EUR
2326+0.092 EUR
2755+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 603 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
auf Bestellung 32410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 441000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G/2
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1HonsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1HTSA1Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
auf Bestellung 8359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 45000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5704+0.12 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5704 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 45000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 45000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1HTSA1Infineon TechnologiesDescription: TRANS PNP 60V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 330 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 45000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5704+0.12 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5704 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1SMOTOROLA
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1SOT
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1SOT23-2FON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1XTInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 330 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1XTInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
auf Bestellung 66353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.044 EUR
20000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
978+0.18 EUR
1465+0.12 EUR
1478+0.11 EUR
2179+0.073 EUR
3598+0.042 EUR
3637+0.039 EUR
3677+0.038 EUR
3704+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 978 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 61606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
758+0.33 EUR
1268+0.18 EUR
2033+0.11 EUR
2653+0.081 EUR
3258+0.065 EUR
5000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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20271+0.032 EUR
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MMBT2907ALT3GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
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11+0.31 EUR
18+0.19 EUR
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500+0.086 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 61606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
758+0.33 EUR
1268+0.18 EUR
2033+0.11 EUR
2653+0.081 EUR
3258+0.065 EUR
5000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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10000+0.045 EUR
30000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30812 Stücke:
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3637+0.049 EUR
3677+0.048 EUR
3704+0.045 EUR
6000+0.044 EUR
15000+0.042 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3637 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALTION
auf Bestellung 27000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AM3T5GON Semiconductor
auf Bestellung 7720 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 265 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
614+0.4 EUR
1022+0.23 EUR
1603+0.13 EUR
2268+0.094 EUR
2817+0.076 EUR
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AM3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
614+0.4 EUR
1022+0.23 EUR
1603+0.13 EUR
2268+0.094 EUR
2817+0.076 EUR
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 265 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 367-371 Tag (e)
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.077 EUR
2500+0.074 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AQYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.6A
auf Bestellung 1586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+0.13 EUR
925+0.092 EUR
1292+0.065 EUR
1586+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
15000+0.046 EUR
30000+0.044 EUR
60000+0.039 EUR
120000+0.038 EUR
300000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AQYangjie Electronic TechnologyPNP General Purpose Amplifier
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3087+0.057 EUR
6000+0.055 EUR
9000+0.052 EUR
15000+0.049 EUR
21000+0.046 EUR
30000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3087 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 310 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.065 EUR
15000+0.061 EUR
21000+0.057 EUR
30000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3087+0.057 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.046 EUR
21000+0.043 EUR
30000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3087 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AQ-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 9882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
15+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 44133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
89+0.24 EUR
143+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AST1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ATShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60V 150MW 75@0.1MA,10V 600MA PNP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ATShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60V 150MW 75@0.1MA,10V 600MA PNP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+0.23 EUR
150+0.14 EUR
241+0.087 EUR
500+0.063 EUR
1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AT-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AT-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AT-7-FDIODES/ZETEXTrans GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-523 MMBT2907AT-7-F TMMBT2907at
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AT-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT -60V 150mW
auf Bestellung 54546 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AT-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AT-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AT-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 150mW; SOT523
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
Case: SOT523
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.2A
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AT-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AT-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AT-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT 150W, 60V, 600mA
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MMBT2907AT-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 5657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
110+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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MMBT2907AT/R
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MMBT2907AW
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MMBT2907AWonsemiON Semiconductor SS SC70 GP XSTR PNP 60V
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MMBT2907AW-R1-00001PanjitBipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 60V
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MMBT2907AWT1onsemiDescription: TRANS SS GP PNP 60V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
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MMBT2907AWT1ON07+;
auf Bestellung 113790 Stücke:
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MMBT2907AWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBT2907AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
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MMBT2907AWT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.071 EUR
9000+0.065 EUR
27000+0.058 EUR
51000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT2907AWT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBT2907AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 977734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12183+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 12183 Stücke
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MMBT2907AWT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 904952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20548+0.032 EUR
100000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 20548 Stücke
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MMBT2907AWT1GON-SemiconductorPNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBT2907AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
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10+0.35 EUR
17+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.075 EUR
3000+0.067 EUR
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MMBT2907AWT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 100
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.6A
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
642+0.13 EUR
933+0.092 EUR
1097+0.077 EUR
1568+0.055 EUR
1804+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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