Produkte > 2SA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| 2SA116 | TO-39 | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA1160 Produktcode: 184995
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-92MOD Grenzfrequenz fT, MHz: 140 МГц Spannung Uce, V: 10 В Spannung Ucb, V: 20 В Strom Ic, A: 2 А Stromverstärkung h21, max: 120 | auf Bestellung: 8 St.
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| 2SA1160-B (TE6,F,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1160-B(TE6,C,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1160-B(TE6,F,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP 10V 2A Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1160-B(TE6FM) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162 Produktcode: 27587
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Lieblingsprodukt
| Toshiba | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: SOT-23 Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz Spannung Uce, V: 50 V Spannung Ucb, V: 50 V Strom Ic, A: 0,15 A Stromverstärkung h21, max: 400 | Produkt ist nicht verfügbar
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| 2SA1162 | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA1162-GA | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA1162-GR | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR | TOSHIBA | S-MINI | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR(T5L,F,T) | TOSHIBA | 0750+ | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR(T5L,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON,DISCON(06-01)/PHASE-OUT(06-04)/OBSOLETE(06-07), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR(T5LIBM) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),INACTIVE,DISCON(05-10)/PHASE-OUT(07-01)/OBSOLETE(07-04), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR(T5R,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),DISCON-->2009-10-09 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR(TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR(TE85L,F | TOSHIBA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 70...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR(TE85L,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR(TE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT753 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR(TE85R) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR(TE85R,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR(TLSPFT | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 8423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V | auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR,LF(B | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 1289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1283 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 98 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 1095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR,LXGF(T | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA1162-GR,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 1095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 62 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) | auf Bestellung 11116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-GR-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANSISTOR PNP SOT-23 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GR-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GRLXGF(B | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SOT23 N CHAN 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-GRTE85LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-O LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-O(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V | auf Bestellung 1714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-O,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 2816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-O,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-O,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-O,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor | auf Bestellung 14188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-O,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-O,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-O,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini) | auf Bestellung 5764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-O,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-O,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 2509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-O,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 2509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-O-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT23 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Box (TB) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 50V 150MW 150MA PNP SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y | TOSHIBA | 10+ROHS SOT-23 | auf Bestellung 150929 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 50V 150MW 150MA PNP SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y(T5LCANOF) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 5146 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y(T5LND) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-07)/OBSOLETE(10-10), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y(T5LND,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 1852 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y(T5RTORKF) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2527 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y(TE85L) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2653 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y(TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-07)/OBSOLETE(10-10), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | 1221+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y(TE85LF) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y(TE85LЈ©TOSHIBA | TOSHIBA | auf Bestellung 5788 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA1162-Y(TE85R) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y(TLSPF,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SM SIG POWER TRANS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 18972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V | auf Bestellung 23689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LF(B | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 29324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 29324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LXGF(T | Toshiba | Transistor Silicon PNP Epitaxial Audio Frequency General Purpose Amplifier Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) | auf Bestellung 7689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1162-Y-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-Y-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANSISTOR PNP SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-YLXGF(T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-YTE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT X34 Pb-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=80MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162-YTE85LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162GR | TOSHIBA | 07+ SOT-23 | auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162GR(T5LFJTNF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162GRT5LT | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1162GRTE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT X34 Pb-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=80MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
