Produkte > DTA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| DTA114EUAHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT-323 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUAHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114EUAHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITL PNP 50V 50MA SOT-323 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 105488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 105488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114EUAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUB TL | ROHM | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 5443 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3F DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-85 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUBHZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-323FL -50V VCC -0.1A IC | auf Bestellung 7195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114EUBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-85 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3F Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 1351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R | auf Bestellung 65685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 2171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114EUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT PNP 100MA TR | auf Bestellung 2790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R | auf Bestellung 1185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1163 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R | auf Bestellung 65685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1924 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GKAT146 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | auf Bestellung 2966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114GU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 583 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114GU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GUA | ROHM | 04+ SOT-323 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114GUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114G Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GUAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2174 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 4180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114G Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DGTL PNP 50V 100MA | auf Bestellung 8948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 4180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 4180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114T | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114T - DTA114T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114T | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA Packaging: Bulk | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114TCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased Sgle PNP, -100mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1852 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist | auf Bestellung 5831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114TCAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 1444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114TCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114TCAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 1444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 1790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.15W; SOT523; 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TE | ROHM | 10+ SOT-523 | auf Bestellung 210200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TE TL | ROHM | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 4824 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 10KOhms 250MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-523 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114TE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 5982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 71 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA114TE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 282 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 71 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 542 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTA114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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