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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IMBA-Q471-R10iEi TechnologyDescription: SBC 2.9GHZ 4 CORE 128GB/0GB RAM
Part Status: Active
RAM Capacity/Installed: 128GB/0GB
Number of Cores: 4
Storage Interface: SATA 3.0 (4)
Watchdog Timer: Yes
Digital I/O Lines: 12
RS-232 (422, 485): 4
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (4)
Ethernet: GbE, RJ45
Video Outputs: DP, HDMI, VGA
Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCIe, SMBus, SPI
Form Factor: ATX
Cooling Type: Fan
Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Speed: 2.9GHz
Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm)
Packaging: Retail Package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBA-Q670-R30IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67,DDR3,VGA/DVI/HDMI,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,HD Audio,RoHS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBA-Q770-R10IEISingle Board Computers F260 3.75G module kit for embedded system, with BT V2.1, 2 x RF cable, 1 x Antenna, RoHs, For IEI ATO only
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBA-Q870-ECO-R10IEISingle Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel Q87, DDR3, Triple Independent Display VGA/DVI-D/HDMI/iDP, USB 3.0, SATA 6Gb/s, ECO packing and RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBA-Q870-i2-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,Three Independent Displays VGA/DVI-D/HDMI/iDP,Dual Intel GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s, Audio, iRIS-2400 and RoHS
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+779.12 EUR
5+769.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBA-R680-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBA-R680-R11IEIIndustrial Motherboards ATX motherboard supports LGA1700 12th/13th/14th Generation Intel Core i9/i7/i5/i3, Pentium and Celeron processor, DDR5, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, and RoHS
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+928.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBA-R680E-R11IEI ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th/14th Generation
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBC327-25
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148 E9GSSOT23-A2
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148 E9 SOT23-A2GS
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V Io/150mA
auf Bestellung 155417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
11+0.32 EUR
100+0.18 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.055 EUR
9000+0.051 EUR
15000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
auf Bestellung 62564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
150+0.14 EUR
180+0.12 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
auf Bestellung 3007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
125+0.17 EUR
179+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.071 EUR
2000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
832+0.21 EUR
1027+0.17 EUR
1048+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 832 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
auf Bestellung 5474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-EP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns
auf Bestellung 14695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-GS08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes RECOMMENDED ALT IMBD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-GS08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
auf Bestellung 11849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
14+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
2500+0.074 EUR
5000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 313 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
73+0.29 EUR
134+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.067 EUR
9000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
auf Bestellung 4873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
14+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
2500+0.074 EUR
5000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-A-08VishayVishay SWITCHING DIODE SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-A-18VishayVishay SWITCHING DIODE SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3_A-08VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
79+0.26 EUR
121+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3_A-08VishaySmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
auf Bestellung 14158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3_A-08VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.063 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3_A-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3_A-18VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-V-GS08VIS07+;
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148E9
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148NEDDIODES03+
auf Bestellung 15010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148NEO(A2)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IMBD4148NEO/A2ITT
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IMBD4448ITT
auf Bestellung 15000 Stücke:
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IMBD4448-E3-08Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
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 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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IMBD4448-E3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
auf Bestellung 15078 Stücke:
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7+0.54 EUR
13+0.26 EUR
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500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.09 EUR
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IMBD4448-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-E3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
auf Bestellung 3467 Stücke:
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7+0.54 EUR
10+0.36 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IMBD4448-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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IMBD4448-G3-08Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-G3-08Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-G3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IMBD4448-G3-18Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-HE3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IMBD4448-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-HE3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-HE3_A-08VishaySmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
auf Bestellung 9777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.37 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.096 EUR
5000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-V-GS08VISHAYSOT-23
auf Bestellung 16400 Stücke:
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IMBF170R1K0M1Infineon TechnologiesMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.88 EUR
10+5.89 EUR
100+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.44 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.56 EUR
10+8.85 EUR
25+8.6 EUR
100+7.16 EUR
250+6.95 EUR
500+6.39 EUR
1000+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.22 EUR
19+9.35 EUR
50+6.97 EUR
200+6.4 EUR
500+5.53 EUR
1000+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1InfineonSICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.04 EUR
32+7.4 EUR
100+5.44 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+19.11 EUR
13+13.97 EUR
50+12.74 EUR
100+11.06 EUR
200+10.17 EUR
500+9.76 EUR
1000+9.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.59 EUR
21+11.11 EUR
100+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.92 EUR
10+8.71 EUR
100+6.32 EUR
500+6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.59 EUR
21+11.11 EUR
100+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 3715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+8.82 EUR
100+6.41 EUR
500+6.07 EUR
1000+5.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.74 EUR
27+8.72 EUR
100+5.83 EUR
500+5.72 EUR
1000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.9 EUR
18+9.98 EUR
50+8.69 EUR
100+7.96 EUR
200+7.39 EUR
500+6.79 EUR
1000+6.21 EUR
2000+6.2 EUR
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IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.22 EUR
10+7.51 EUR
100+5.4 EUR
500+4.93 EUR
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IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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1000+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IMBF170R650M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 88W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.526ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1042 Stücke:
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100+5.83 EUR
500+5.72 EUR
1000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 1944 Stücke:
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1+11.02 EUR
10+7.31 EUR
100+5.3 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.52 EUR
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IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+39.15 EUR
10+38.58 EUR
25+37.72 EUR
100+36.87 EUR
250+36.3 EUR
500+35.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IMBG120R008M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+81.97 EUR
5+67.13 EUR
10+53.66 EUR
50+53.63 EUR
100+50.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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