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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP11NB40ST
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NB40FPSTMTO-220 07+
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NB40ZFPST07+ 220F
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NC40STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 400 Volt 9.5 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NC40
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NC40FP
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.55 EUR
100+2.21 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 400V; 400V; 30V; 550mOhm; 9A; 110W; -55°C ~ 150°C; STP11NK40Z TSTP11NK40Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.17 EUR
154+1.13 EUR
157+1.08 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
50+2.4 EUR
100+2.17 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK40Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 9 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.25 EUR
124+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTMN-кан. MOSFET 400V, 9A, 0.49Ом, 30Вт, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40Z
Produktcode: 1022
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 930/32
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 215 St.
  • 215 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.52 EUR
10+1.36 EUR
100+1.2 EUR
1000+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.55 EUR
100+2.26 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+2.01 EUR
100+1.67 EUR
500+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.17 EUR
153+1.11 EUR
157+1.05 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40Z
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40Z-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.96 EUR
114+1.5 EUR
119+1.38 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFPSTMN-кан. MOSFET 400V, 9A, 0.49Ом, 30Вт, TO-220FP (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+3.03 EUR
100+2.75 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+4.05 EUR
28+3.15 EUR
32+2.68 EUR
41+2.07 EUR
50+1.75 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.55 EUR
120+1.45 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
50+3.09 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFPSTN-MOSFET; 400V; 400V; 30V; 550mOhm; 9A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP11NK40ZFP TSTP11NK40ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK40ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 9 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.2 EUR
69+3.37 EUR
100+2.81 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50(Transistor)
Produktcode: 82199
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50Z TSTP11NK50Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.78 EUR
25+3.52 EUR
31+2.77 EUR
50+2.3 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.16 EUR
50+3.64 EUR
100+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.36 EUR
100+3.03 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.28 EUR
2000+2.19 EUR
5000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.4 EUR
59+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.3 EUR
100+2.93 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.12 EUR
2000+1.98 EUR
5000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.23 EUR
10+4.65 EUR
100+3.81 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.89 EUR
2000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.49 EUR
100+2.33 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK50ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.27 EUR
60+3.93 EUR
100+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50ZFP TSTP11NK50ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V Zener SuperMESH
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.47 EUR
10+4.52 EUR
100+3.67 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZFPSTMN-кан. MOSFET 500V 10A TO-220FP Транзистори
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STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.49 EUR
100+2.38 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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STP11NK50ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50ZFP TSTP11NK50ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.97 EUR
26+3.28 EUR
50+2.5 EUR
100+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STP11NM50NSTMicroelectronics
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP11NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
50+2.56 EUR
100+2.43 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STP11NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
auf Bestellung 1109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.92 EUR
10+5.19 EUR
100+5.15 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.72 EUR
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STP11NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.32 EUR
50+4.86 EUR
100+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP11NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Gate charge: 30nC
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.68 EUR
20+4.44 EUR
25+3.88 EUR
50+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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STP11NM60STMТранзистори
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STP11NM60STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.09 EUR
39+5.96 EUR
100+5.01 EUR
500+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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STP11NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP11NM60
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP11NM60A
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP11NM60ASTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
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STP11NM60ASTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1211 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP11NM60AF
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP11NM60AFPST
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP11NM60AFPSTMicroelectronicsMOSFET
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STP11NM60CHINA
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP11NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.83 EUR
19+4.63 EUR
25+4.31 EUR
50+4.08 EUR
100+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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STP11NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.63 EUR
75+2.33 EUR
78+2.19 EUR
100+2.06 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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STP11NM60FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.57 EUR
33+7.18 EUR
100+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.09 EUR
50+7.57 EUR
100+6.95 EUR
500+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP11NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP11NM60FDSTTranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STP11NM60FD
Produktcode: 167166
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STP11NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.61 EUR
75+2.26 EUR
79+2.09 EUR
100+1.93 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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STP11NM60FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.54 EUR
10+6.12 EUR
100+5.59 EUR
500+4.82 EUR
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STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP11NM60FDFPST
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.29 EUR
10+6.12 EUR
100+5.37 EUR
500+5.3 EUR
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STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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STP11NM60FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
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STP11NM60FP
Produktcode: 43806
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STP11NM60FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FPSTM07+ SMD
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60N
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
10+6.95 EUR
100+5.19 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.18 EUR
18+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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24+10.82 EUR
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STP11NM60ZFP
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STP11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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60+2.94 EUR
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STP11NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
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