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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RS73G2BTTD7500CKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD7500FKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD7502FKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD7503FKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD75R0FKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD8201BKOA Speer Electronics, Inc.Description: RES 8.2K OHM 0.1% 1/3W 1206
Power (Watts): 0.333W, 1/3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 8.2 kOhms
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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RS73G2BTTD8201CKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD8203BKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD8253BKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD8253CKOA Speer Electronics, Inc.Description: RES 825K OHM 0.25% 1/3W 1206
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RS73G2BTTD8253CKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD8253DKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD8253FKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD82R0FKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD8452CKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD9100BKOA Speer Electronics, Inc.Description: RES 910 OHM 0.1% 1/3W 1206
Power (Watts): 0.333W, 1/3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 910 Ohms
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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RS73G2BTTD9100BKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD9101CKOA Speer Electronics, Inc.Description: RES 9.1K OHM 0.25% 1/3W 1206
Power (Watts): 0.333W, 1/3W
Tolerance: ±0.25%
Features: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Part Status: Active
Resistance: 9.1 kOhms
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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RS73G2BTTD9101CKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD9103FKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD9530DKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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RS73G2BTTD9761DKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RS74AHCT74N
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RS75TIMCODescription: TIMCO - RS75 - REPAIR SPIKE - BOLT RED - 75MM
tariffCode: 83024200
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Größe (mm): 75mm
euEccn: NLR
Gehäuselänge: 450mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Timco - Repair Spikes
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RS75GTIMCODescription: TIMCO - RS75G - REPAIR SPIKE - BOLT HDG - 75MM
tariffCode: 83024200
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Größe (mm): 75mm
euEccn: NLR
Gehäuselänge: 450mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Timco - Repair Spikes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.94 EUR
11+22.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RS7711-P
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RS7802-001
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RS7812
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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rs78L05
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RS7E200BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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RS7E200BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.29 EUR
32+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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RS7E200BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN5060 N-CH 30V 390A
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.18 EUR
100+4.93 EUR
500+4.38 EUR
1000+4.3 EUR
2500+3.64 EUR
5000+3.61 EUR
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RS7G200CGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN5060 N-CH 40V 410A
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RS7G200CGTB1ROHMDescription: ROHM - RS7G200CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 640 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 216W
Bauform - Transistor: DFN5060-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.5 EUR
38+6.15 EUR
100+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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RS7G200CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN5060 N-CH 40V 445A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7L200CGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 275A, DFN5060-8S, POWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7L200CGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 275A, DFN5060-8S, Power MOSFET : RS7L200CG is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7L200CGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 275A, DFN5060-8S, POWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7L200CHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 270A, DFN5060-8S, POWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7L200CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 270A, DFN5060-8S, Power MOSFET : RS7L200CH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7L200CHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 270A, DFN5060-8S, POWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7N160BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 160A, DFN5060-8S, POWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7N160BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.67 EUR
36+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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RS7N160BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN5060 N-CH 80V 160A
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.95 EUR
10+5.9 EUR
100+4.19 EUR
500+3.67 EUR
2500+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7N160BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 160A, DFN5060-8S, POWER
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.09 EUR
10+6 EUR
50+4.68 EUR
100+4.26 EUR
500+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7N160BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7N200BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7N200BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN5060 N-CH 80V 230A
auf Bestellung 2049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.22 EUR
100+5.02 EUR
500+4.46 EUR
1000+4.32 EUR
2500+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7N200BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.9 EUR
32+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7P150BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN 100V 150A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7P200BMTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN5060-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V
auf Bestellung 1082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.56 EUR
10+6.35 EUR
100+4.52 EUR
500+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7P200BMTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN5060-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7P200BMTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN 100V 200A N-CH
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.04 EUR
10+6.01 EUR
100+4.3 EUR
500+4.06 EUR
1000+3.86 EUR
2500+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7P200BMTB1ROHMDescription: ROHM - RS7P200BMTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 4000 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: DFN5060-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12 EUR
32+7.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS7R125CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN 150V 125A N-CH
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