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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FFSD-25-S-78.00-01-NSamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye(TM) IDC Ribbon Cable Assembly
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-25-S-78.00-01-NSAMTECDescription: SAMTEC - FFSD-25-S-78.00-01-N - Flachbandkabel, IDC-Buchse auf freies Ende, 50 -polig, 7 ft, 2 m, 1.27 mm, Tiger Eye FFSD
Anzahl der Positionen: 50
Kabellänge - Imperial: 7
Steckverbinder auf Steckverbinder: IDC-Buchse auf freies Ende
Rastermaß des Steckverbinders: 1.27
Kabellänge - Metrisch: 2
Produktpalette: Tiger Eye FFSD
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-25-S-78.00-01-NSamtecCable Assembly 1.981m 30AWG 1.27mm 50 POS IDC Connector F TIGER EYE™ Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-25-S-78.00-01-NSamtecCable Assembly 1.981m 30AWG 1.27mm 50 POS IDC Connector F TIGER EYE™ Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-25-S-78.00-01-NSamtec Inc.Description: .050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Socket to Cable
Contact Finish: Gold
Color: Gray, Ribbon
Length: 6.50' (1.98m)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 50
Number of Rows: 2
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Cable Termination: IDC
Pitch - Cable: 0.025" (0.64mm)
Pitch - Connector: 0.050" (1.27mm)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-25-S-79.00-01-NSamtec Inc.Description: .050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE
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FFSD-25-S-79.00-01-NSamtecCable Assembly 2.006m 30AWG 1.27mm 50 POS IDC Connector F TIGER EYE™ Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-25-S-79.00-01-NSamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye(TM) IDC Ribbon Cable Assembly
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-25-S-79.00-01-NSamtecCable Assembly 2.006m 30AWG 1.27mm 50 POS IDC Connector F TIGER EYE™ Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-25-S-80.00-01-NSamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-25-S-80.00-01-NSamtec Inc.Description: .050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE
Pitch - Connector: 0.050" (1.27mm)
Pitch - Cable: 0.025" (0.64mm)
Cable Termination: IDC
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Rows: 2
Number of Positions: 50
Shielding: Unshielded
Length: 6.67' (2.03m)
Color: Gray, Ribbon
Contact Finish: Gold
Connector Type: Socket to Cable
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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FFSD-34-D-6.0-01-NSamtecRibbon Cables / IDC Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0465AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
10+4.25 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0465AON Semiconductor
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0465AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 4A SIC SBD
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+4.14 EUR
100+3.31 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.37 EUR
2500+2.26 EUR
5000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0465AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0465AON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode,4A, 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 39759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.59 EUR
10+4.31 EUR
100+3 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.07 EUR
5000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665AON Semiconductor
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+4.05 EUR
100+2.81 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.32 EUR
2500+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.56 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.6 EUR
298+0.57 EUR
303+0.56 EUR
308+0.54 EUR
313+0.51 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 294 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BON Semiconductor
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.46 EUR
294+0.57 EUR
298+0.55 EUR
303+0.51 EUR
308+0.49 EUR
313+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 2041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.75 EUR
10+4.64 EUR
100+3.38 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.51 EUR
10+3.58 EUR
100+2.49 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.92 EUR
2500+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.09 EUR
10+3.96 EUR
100+2.74 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.57 EUR
59+3.96 EUR
100+2.55 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085ONN
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD06LAMFAGBelden Inc.Description: FFSD06LAMFAG
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AonsemiDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 4403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.01 EUR
10+8.76 EUR
100+6.34 EUR
500+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AonsemiDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.95 EUR
500+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
61+2.82 EUR
62+2.73 EUR
100+2.62 EUR
250+2.53 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AON Semiconductor
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
61+2.76 EUR
62+2.62 EUR
100+2.48 EUR
250+2.34 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AonsemiSiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
auf Bestellung 4299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.78 EUR
10+8.59 EUR
100+6.24 EUR
500+5.82 EUR
1000+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.97 EUR
27+8.82 EUR
100+5.95 EUR
500+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865AON Semiconductor
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+5.53 EUR
100+4.49 EUR
250+4.24 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.36 EUR
2500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0865B - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 8A, TO-252
tariffCode: 0
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.18 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.27 EUR
10+5.45 EUR
100+3.84 EUR
500+3.15 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.98 EUR
182+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 4724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.66 EUR
10+4.34 EUR
100+3.02 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BON Semiconductor
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 4913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+3.33 EUR
100+2.67 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.18 EUR
2500+2.03 EUR
5000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.02 EUR
48+4.88 EUR
100+3.15 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 3939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+4.32 EUR
100+3.2 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.49 EUR
2500+2.34 EUR
5000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
10+4.84 EUR
100+3.39 EUR
500+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD10120Aonsemi / FairchildSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.05 EUR
10+13.53 EUR
25+13.26 EUR
100+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD10120AON Semiconductor
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.57 EUR
10+9.15 EUR
100+6.66 EUR
500+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 88751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.63 EUR
10+5.7 EUR
100+4.03 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AonsemiDescription: 650V 10A SIC SBD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AOn SemiconductorSchottky 650 V 18A (DC) D-PAK (TO-252) Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 87500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.84 EUR
5000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.73 EUR
10+5.78 EUR
100+4.08 EUR
500+3.44 EUR
1000+3.28 EUR
2500+3.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AONN
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AonsemiDescription: 650V 10A SIC SBD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BON Semiconductor
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+3.72 EUR
100+2.67 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.98 EUR
2500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 13.5 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
60+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 13.5 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FFSD1065B-F085ON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
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500+3.5 EUR
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