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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7700TRPBFIOR
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IRF7701IR
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IRF7701Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
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IRF7701International RectifierТранзистори
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IRF7701GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
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IRF7701GTRPBF
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IRF7701TRIOR
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IRF7701TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
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IRF7701TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
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IRF7702IRTSSOP-8
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IRF7702TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
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IRF7702TRIOR
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IRF7702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP
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IRF7702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
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IRF7703IRTSSOP-8
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IRF7703Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
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IRF7703GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
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IRF7703TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
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IRF7703TRPBF
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IRF7703TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 6A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF7704Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
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IRF7704IRTSSOP-8
auf Bestellung 32000 Stücke:
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IRF7704GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
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IRF7704GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
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IRF7704TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
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IRF7704TRPBFIOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
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IRF7704TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
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IRF7705IRTSSOP-8
auf Bestellung 32000 Stücke:
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IRF7705Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IRF7705GTRPBFInfineon / IRMOSFET
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IRF7705GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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IRF7705HRInfineon / IRInfineon
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IRF7705TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7705TR
auf Bestellung 42500 Stücke:
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IRF7705TRHRInfineon / IRInfineon
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IRF7705TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF7705TRPBFInternational RectifierSO8-118-0.65 Транзистори
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IRF7705TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -8A 18mOhm 58nC
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IRF7706Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
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IRF7706IRTSSOP-8
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7706GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7706GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7706GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
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IRF7706TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7706TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7706TRPBFIOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7706TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7706TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
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IRF7707IRTSSOP-8
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7707Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7707GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
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IRF7707TR
auf Bestellung 12672 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7707TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7707TRPBFIOR
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7710IR07+ TSSOP-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7715IR07+ TSSOP-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7726IRSO-8
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7726Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7726TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7726TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7726TRIR
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
auf Bestellung 3249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7726TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -7A 26mOhm 46nC Micro 8
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7726TRPBF
Produktcode: 60841
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
auf Bestellung 3249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.05 EUR
169+1 EUR
198+0.82 EUR
238+0.65 EUR
267+0.56 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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IRF7737L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7738L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7471 pF @ 25 V
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IRF7739L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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IRF7739L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7739L1TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.38 EUR
10+7.6 EUR
100+5.46 EUR
500+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V N-Ch 270A 1.0 mOhm 220nC
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.1 EUR
10+7.94 EUR
100+5.87 EUR
500+5.21 EUR
1000+4.65 EUR
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IRF7739L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
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IRF7739L2TR1PBFInfineon / IRMOSFET 40V 270A 1.0mOhm 220nC Qg
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IRF7739L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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IRF7739L2TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7739L2TRPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1mOhm 220nC
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF7739L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7739L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
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IRF7748L1TRPBF
Produktcode: 130779
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IRF7748L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.99 EUR
1000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7748L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.65 EUR
27+6.39 EUR
50+4.76 EUR
200+4.37 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.64 EUR
2000+3.42 EUR
4000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7748L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 89A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 148A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7748L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.77 EUR
42+5.59 EUR
100+4.22 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRF7748L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.05 EUR
100+1.93 EUR
250+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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