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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FFSD0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.07 EUR
5000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665AON Semiconductor
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+4.05 EUR
100+2.81 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.32 EUR
2500+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 39759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.59 EUR
10+4.31 EUR
100+3 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BON Semiconductor
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.69 EUR
104+1.64 EUR
105+1.58 EUR
107+1.52 EUR
250+1.48 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 2037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.75 EUR
10+4.64 EUR
100+3.38 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.56 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.69 EUR
104+1.61 EUR
105+1.52 EUR
107+1.44 EUR
250+1.36 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.12 EUR
56+4.2 EUR
100+3.8 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.09 EUR
10+3.96 EUR
100+2.74 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085ONN
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+2.98 EUR
100+2.68 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.12 EUR
2500+1.82 EUR
5000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0665B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD06LAMFAGBelden Inc.Description: FFSD06LAMFAG
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.44 EUR
29+6.03 EUR
31+5.38 EUR
100+4.77 EUR
250+4.68 EUR
500+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.38 EUR
500+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 22.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.44 EUR
29+5.9 EUR
31+5.18 EUR
100+4.52 EUR
250+4.32 EUR
500+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AON Semiconductor
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AonsemiDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AonsemiSiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
auf Bestellung 3629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.78 EUR
10+8.59 EUR
100+6.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.24 EUR
25+9.52 EUR
100+6.38 EUR
500+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD08120AonsemiDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+5.53 EUR
100+4.49 EUR
250+4.24 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.36 EUR
2500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865AON Semiconductor
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BON Semiconductor
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.27 EUR
10+5.45 EUR
100+3.84 EUR
500+3.15 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FFSD0865BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 4913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+3.28 EUR
100+2.84 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.24 EUR
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FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.14 EUR
500+2.77 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
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FFSD0865BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0865B - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 8A, TO-252
tariffCode: 0
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 4724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.66 EUR
10+4.34 EUR
100+3.02 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.08 EUR
85+2.01 EUR
86+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.67 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 3929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+3.67 EUR
100+3.33 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.53 EUR
2500+2.37 EUR
5000+2.31 EUR
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FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.24 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.67 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.5 EUR
50+4.66 EUR
100+3.24 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
10+4.84 EUR
100+3.39 EUR
500+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD10120AON Semiconductor
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 4228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.89 EUR
10+9.37 EUR
100+6.82 EUR
500+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD10120Aonsemi / FairchildSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.05 EUR
10+13.53 EUR
25+13.26 EUR
100+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AOn SemiconductorSchottky 650 V 18A (DC) D-PAK (TO-252) Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AonsemiDescription: 650V 10A SIC SBD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.73 EUR
10+5.78 EUR
100+4.08 EUR
500+3.31 EUR
1000+3.2 EUR
2500+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 88751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.63 EUR
10+5.7 EUR
100+4.03 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AONN
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AonsemiDescription: 650V 10A SIC SBD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 87500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.84 EUR
5000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 13.5 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 13.5 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BON Semiconductor
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+3.72 EUR
100+2.67 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.98 EUR
2500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.05 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.05 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5
auf Bestellung 2636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.28 EUR
10+4.13 EUR
100+3.75 EUR
500+3.25 EUR
1000+3.08 EUR
2500+2.68 EUR
5000+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.05 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD10D470001NSamtecRibbon Cables / IDC Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.4A TO252
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.77 EUR
10+7.19 EUR
50+5.64 EUR
100+5.14 EUR
500+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD2065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD2065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 20 A, 51 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1858 Stücke:
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FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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31+5.36 EUR
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FFSD2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.4A TO252
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FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FFSD2065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD2065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 20 A, 51 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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22+11.9 EUR
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100+5.19 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FFSD2065BonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE DPAK 650V
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FFSH06LDBelden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 06P
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FFSH10120AON Semiconductor
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FFSH10120AON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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FFSH10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
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2+13.48 EUR
10+11.57 EUR
100+9.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FFSH10120AON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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