Produkte > irf

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7751TRPBFIOR
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752GPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752TRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752TRPBFIOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7752TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7754Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7754IRTSSOP-8
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7754GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7754GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7754GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7754TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7754TRPBFIOR
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7754TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7755IRTSSOP-8
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7755Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7755GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7755GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7755TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7755TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7755TRPBFIOR
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7755TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7755TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7756IRTSSOP-8
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7756Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7756GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7756GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7756GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7756TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7756TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7756TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7756TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7756TRPBFIOR
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7757IRTSSOP-8
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7757TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7757TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7757TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 4.8A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7759L2TR1PBFInfineon
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7759L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7759L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.29 EUR
17+14.41 EUR
100+10.9 EUR
500+9.27 EUR
1000+8.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7759L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7759L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7759L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7759L2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 200nC
auf Bestellung 3745 Stücke:
Lieferzeit 409-413 Tag (e)
1+13.28 EUR
10+12.88 EUR
100+11.57 EUR
500+10.97 EUR
1000+10.41 EUR
2000+10.28 EUR
4000+6.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7759L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.29 EUR
17+14.41 EUR
100+10.9 EUR
500+9.27 EUR
1000+8.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7759L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+6.6 EUR
104+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7762TRLPBFRochester Electronics, LLCDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
50+3.82 EUR
100+3.59 EUR
200+3.46 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC
auf Bestellung 13070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+6.62 EUR
100+5.84 EUR
500+5.49 EUR
1000+5.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBF
Produktcode: 107945
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.97 EUR
50+7.68 EUR
250+6.38 EUR
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4.76 EUR
100+4.19 EUR
500+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF7769L1TRPBF
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+4.24 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.65 EUR
10000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.59 EUR
100+3.51 EUR
250+3.45 EUR
500+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+4.24 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.46 EUR
100+3.32 EUR
250+3.18 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.68 EUR
250+6.38 EUR
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.29 EUR
25+7.82 EUR
50+7.37 EUR
100+6.95 EUR
250+6.64 EUR
500+6.37 EUR
1000+6.06 EUR
2500+5.93 EUR
5000+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
auf Bestellung 14517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.78 EUR
10+8.59 EUR
100+6.22 EUR
500+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFTRInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TR1PBF Transistoren
Produktcode: 103126
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TRPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET L8
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.3 EUR
10+7.59 EUR
100+5.49 EUR
500+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
auf Bestellung 6082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.04 EUR
10+8.08 EUR
100+5.87 EUR
500+5.46 EUR
1000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 3069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.42 EUR
50+9.01 EUR
250+6.62 EUR
1000+6.19 EUR
2000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.59 EUR
26+6.32 EUR
100+4.71 EUR
250+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 3069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.42 EUR
50+9.01 EUR
250+6.62 EUR
1000+6.19 EUR
2000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V, 89A, DirectFET 5.7mOhm, 124nC Og
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+4.57 EUR
25+4.32 EUR
100+3.69 EUR
250+3.47 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7780MTRPBF - IRF7780 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+4 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 53A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6504 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon / IRMOSFET 75V, 89A, DirectFET 5.7mOhm, 124nC Og
auf Bestellung 2823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7799L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7799L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7799L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7799L2TRPBFInfineon / IRMOSFET 250V N-CH HEXFET 38mOhms 110nC
auf Bestellung 3465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7799L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6714 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]