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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7769L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.47 EUR
50+7.38 EUR
250+5.65 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBF
Produktcode: 107945
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+4.24 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.46 EUR
100+3.32 EUR
250+3.18 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
auf Bestellung 14517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.78 EUR
10+8.59 EUR
100+6.22 EUR
500+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.29 EUR
25+7.82 EUR
50+7.37 EUR
100+6.95 EUR
250+6.64 EUR
500+6.37 EUR
1000+6.06 EUR
2500+5.93 EUR
5000+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC
auf Bestellung 15791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.96 EUR
10+5.57 EUR
100+4.65 EUR
500+4.32 EUR
1000+4.08 EUR
4000+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
50+3.82 EUR
100+3.59 EUR
200+3.46 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.38 EUR
250+5.65 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L1TRPBFTRInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TR1PBF Transistoren
Produktcode: 103126
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TRPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET L8
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 3069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.42 EUR
50+9.01 EUR
250+6.62 EUR
1000+6.19 EUR
2000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 3069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.42 EUR
50+9.01 EUR
250+6.62 EUR
1000+6.19 EUR
2000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.59 EUR
26+6.32 EUR
100+4.71 EUR
250+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.3 EUR
10+7.59 EUR
100+5.49 EUR
500+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
auf Bestellung 6082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.04 EUR
10+8.08 EUR
100+5.87 EUR
500+5.46 EUR
1000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V, 89A, DirectFET 5.7mOhm, 124nC Og
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+4.57 EUR
25+4.32 EUR
100+3.69 EUR
250+3.47 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 53A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6504 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon / IRMOSFET 75V, 89A, DirectFET 5.7mOhm, 124nC Og
auf Bestellung 2823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7780MTRPBF - IRF7780 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+4 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7780MTRPBFInfineon
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7799L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7799L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7799L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7799L2TRPBFInfineon / IRMOSFET 250V N-CH HEXFET 38mOhms 110nC
auf Bestellung 3465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7799L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6714 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7803International RectifierТранзистори
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IRF7803
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7803D2IOR
auf Bestellung 45 Stücke:
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IRF7805IRSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7805AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IRF7805AIRSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7805APBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ATRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7805ATRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRF7805ATRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7805ATRPBFIOR
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7805ATRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805HRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7805PBFInternational RectifierТранзистори
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IRF7805PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7805PBF - IRF7805 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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IRF7805PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 22nC
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF7805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
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IRF7805PBF
Produktcode: 79757
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 11 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: /22
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.95 EUR
10+0.86 EUR
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IRF7805PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7805QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7805QTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 13A 11 mOhm Automotive MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7805TRIR0501+ SOP8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7805TR-TIR00+ SOP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7805TRPBFInternational RectifierDescription: PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
414+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 414 Stücke
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IRF7805TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 22nC
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7805TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7805TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7805TRPBF - IRF7805 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 133276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
585+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 585 Stücke
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IRF7805TRPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7805TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
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IRF7805ZIR07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7805Z-TR-PBFIR7
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7805ZGPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZGTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 18nC
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRIR06+
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
641+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 641 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 16A 6.8mOhm 18nC
auf Bestellung 3694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.63 EUR
100+1.27 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.88 EUR
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.58 EUR
142+1.19 EUR
160+1.01 EUR
179+0.87 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7805ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
639+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 639 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7807IRSO-8
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7807Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IRF7807AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
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IRF7807AIRSO-8
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IRF7807AHRInfineon / IRInfineon
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IRF7807AHRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC Tube
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IRF7807APBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 12nC
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IRF7807APBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
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Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
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