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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| MMBT3906H RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-23, -40V, -0.2A, PNP Transistor | auf Bestellung 8268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906H RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: SOT-23, -40V, -0.2A, PNP TRANSI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | auf Bestellung 5474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906H RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906H RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906H RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: SOT-23, -40V, -0.2A, PNP TRANSI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | auf Bestellung 5474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906H RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 40V 0.2A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906HE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP -40Vcbo -40Vceo Vebo -5V -200mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906HE3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 40V 0.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 14224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906HLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906HLT1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906K | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | auf Bestellung 865626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906K | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT3906K | FAIRCHILD | MMBT3906K | auf Bestellung 864060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906L | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-23, -40V, -0.2A, PNP Bipolar Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906L | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906L | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT3906L | onsemi | onsemi SS SOT23 GP XSTR PBFREE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906L RF | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 0,3mW PNP Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906L RF | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906L RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906L RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906L RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT -40V, -0.2A, PNP Bipolar Transistor | auf Bestellung 12456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906L RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | auf Bestellung 60816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906L3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP -40Vcbo -40Vceo 150mW -5V -200mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906L3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 40V 0.2A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: DFN1006-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LP | GOODWORK | Description: PNP100mA 45V 200mW SOT-23 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LP-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LP-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 97795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LP-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LP-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LP-7 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Manufacturer standard package: 3000pcs. Pulsed collector current: 0.2A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LP-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP | auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LP-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LP-7B | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Manufacturer standard package: 10000pcs. Pulsed collector current: 0.2A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LP-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LP-7B | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K | auf Bestellung 41978 Stücke: Lieferzeit 318-322 Tag (e) |
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| MMBT3906LP-7B | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LP-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LP-7B | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LT | auf Bestellung 11980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT3906LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LT1 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 200MA SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7064 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LT1 SOT23-2A | MOTOROLA | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT3906LT12A | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT3906LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 630000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 666000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G Produktcode: 23943
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| ON | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: SOT-23 Grenzfrequenz fT, MHz: 250 MHz Spannung Uce, V: 40 V Spannung Ucb, V: 40 V Strom Ic, A: 0,2 A Stromverstärkung h21, max: 300 | verfügbar: 230 St.
auf Bestellung: 5962 St.
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| MMBT3906LT1G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 7095 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 630000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ON-Semiconductor | PNP 200mA 40V 300mW 250MHz MMBT3906T1G ONS TMMBT3906lt Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 33988 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 60489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 33559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP | auf Bestellung 290331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 60489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | On Semiconductor | SOT23 Транзистори | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 41583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 64430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz | auf Bestellung 3231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 33559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PBFREE | auf Bestellung 14515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1H | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 24553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1H | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW | auf Bestellung 261000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1H | ON Semiconductor | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON | auf Bestellung 233664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1H | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 24553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1H | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW | auf Bestellung 261000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1H | ON Semiconductor | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON | auf Bestellung 330000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1H | ON Semiconductor | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 162000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 21893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 60971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 11191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 40V 0.2A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW | auf Bestellung 1545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 60971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 54000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 54000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A | auf Bestellung 30013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - MMBT3906LT1HTSA1 - MMBT3906 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTO tariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 110232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 40V 0.2A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 54000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LT1SOT23-2A | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT3906LT1XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LT3 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 60640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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