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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7822TRLPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7822TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 18A 6.5mOhm 44nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7822TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7822TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7822TRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7822TRRInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7822TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7822TRRPBFInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7823IOR09+
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7823TRPBFIOR
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7828IR07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7828Infineon / IRMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7828HRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7828PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7828PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 9.3nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7828TRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7828TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7828TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7828TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 13.6A 12.5mOhm 9.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831IR07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.6mOhms 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7831PBF - IRF7831 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.15 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.99 EUR
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
86+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.81 EUR
217+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15, Qg, нКл = 60 @ 4,5 В, Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
651+1 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 651 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF
Produktcode: 29859
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832
Produktcode: 30575
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 40 St.
  • 40 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+1.17 EUR
10+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.38 EUR
82+2.06 EUR
141+1.14 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.62 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3800 Stücke
verfügbar 19 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRIR0539+ SOP-8
auf Bestellung 67810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
113+2.06 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.14 EUR
88+1.92 EUR
131+1.24 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
602+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 602 Stücke
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IRF7832TRPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.99 EUR
8000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
100+1.87 EUR
250+1.76 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
auf Bestellung 10543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.12 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
127+1.32 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.79 EUR
4000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
auf Bestellung 31229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.11 EUR
50+1.57 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
127+1.36 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.84 EUR
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRF7832TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
113+2.06 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
602+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 602 Stücke
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IRF7832TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 363 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1 EUR
8000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.82 EUR
8000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7832TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: SO8
auf Bestellung 3347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
602+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 602 Stücke
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IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.92 EUR
12000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
131+1.31 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRF7832TRPBF
Produktcode: 30646
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.96 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7832TRPBF-1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+1.82 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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IRF7832UTRPBFIR
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7832ZIOR09+
auf Bestellung 12963 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7832ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832ZPBFIOR09+
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832ZTRPBFIRSOP8
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834IRSO-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.36 EUR
83+2.03 EUR
93+1.75 EUR
101+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 29nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 19A 4.5mOhm 29nC
auf Bestellung 3539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7835IR05+ SOP-8;
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7835TRPBFIOR
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7836IOR09+
auf Bestellung 5206 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7836TRPBFIOR
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842
Produktcode: 23544
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842PBF
Produktcode: 23513
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4500/33
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842PBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.82 EUR
101+1.71 EUR
132+1.27 EUR
250+1.24 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
250+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
auf Bestellung 4441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.01 EUR
100+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.99 EUR
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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