Produkte > FDM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| FDMC7672S | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 36W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 36W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 45A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7672S | onsemi | MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET | auf Bestellung 2431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7672S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V | auf Bestellung 3690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7672S-F126 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7672S-F126 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-CHAN 14.8A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7672S-F126 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7672S_F126 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7672S_F126 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7672S_F126 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7678 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7678 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7678-L701 | onsemi | Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7678-L701 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7678-L701 | onsemi | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7678-L701 | onsemi | Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7680 | onsemi / Fairchild | Sensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7680 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V | auf Bestellung 11422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7692 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7692 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 7200 µohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5098 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7692 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7692 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench | auf Bestellung 37139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7692 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7692 Produktcode: 116194
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDMC7692 | onsemi | MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench | auf Bestellung 12081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7692 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7692 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7692 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 29W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A | auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7692 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7692S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7692S | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | auf Bestellung 76828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7692S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7692S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7692S-F126 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7692S-F126 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-CHAN 12.5A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7692S-F126 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7692S-F127 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7692S-F127 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7696 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 8500 µohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7696 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V | auf Bestellung 1192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7696 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7696 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 2092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7696 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 8500 µohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7696 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7696 | onsemi | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7696_F065 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V PWR33 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7696_F065 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo | auf Bestellung 701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7696_F065 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V PWR33 | auf Bestellung 3656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7696_F065 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V PWR33 | auf Bestellung 3656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 18808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8010 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 6066 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8010 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V | auf Bestellung 8997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010 | onsemi | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 1386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8010 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 9885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8010A | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8010A | FAIRCHILD | FDMC8010A | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8010DC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V | auf Bestellung 9546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8010DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010DC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 99A Pulsed drain current: 788A Power dissipation: 50W Case: PQFN8 On-state resistance: 1.89mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8010DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010DC | onsemi / Fairchild | MOSFET TV Monitor/POE/ Network/Telcom | auf Bestellung 10099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8010DC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8010DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010DC | onsemi | MOSFETs TV Monitor/POE/ Network/Telcom | auf Bestellung 11747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8010ET30 | onsemi / Fairchild | MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8010ET30 | ON Semiconductor | FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 5227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010ET30 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8010ET30 | ON Semiconductor | FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8010ET30 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 43049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8010ET30 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8015L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A Power dissipation: 24W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8015L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8015L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 6508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8015L | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 4502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8015L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC8015L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC8015L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V | auf Bestellung 3765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC8015L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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