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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGOn SemiconductorPNP Power silicon transistor, Ic=10 A, Vceo=60V, -55 to 150 C, TO-220, Транзистори
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MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+1 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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MJE2955TMJE3055T
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE2955TTUFairchildPNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Silicon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TTUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TTU-ONonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TTU_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055STM
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055/2955T
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.57 EUR
146+1.59 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+2.07 EUR
65+1.32 EUR
81+1.06 EUR
96+0.89 EUR
110+0.77 EUR
200+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.31 EUR
143+1.13 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.33 EUR
143+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.67 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 100; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.25 EUR
100+1.94 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.18 EUR
5000+1.04 EUR
10000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 3217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.92 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 6272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
50+2.37 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.57 EUR
2000+1.46 EUR
5000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
181+1.29 EUR
193+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.73 EUR
247+0.69 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.55 EUR
5000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T
Produktcode: 190953
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JSMICROTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 В
Kollektorstrom Ic, A: 10 А
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
auf Bestellung: 90 St.
  • 90 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.86 EUR
10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
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MJE3055TSTMMJE3055T Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 26410
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STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
verfügbar: 13 St.
  • 13 St. - stock Köln
1+0.7 EUR
10+0.64 EUR
100+0.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
auf Bestellung 15301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.07 EUR
100+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
171+1.36 EUR
192+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.64 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGON Semiconductor
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.62 EUR
65+1.31 EUR
96+0.89 EUR
116+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 28108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
50+2.3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.42 EUR
5000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.82 EUR
219+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TL
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340
Produktcode: 174065
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 300 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 300 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 А
Montage: THT
auf Bestellung: 26 St.
  • 26 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.52 EUR
10+0.48 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STMNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 26150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
464+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 464 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 2104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
123+0.69 EUR
147+0.58 EUR
168+0.51 EUR
187+0.45 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340Microchip / Microsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STMicroelectronicsТранзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJE340STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
auf Bestellung 3272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.52 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJE340Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.46 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MJE340STMicroelectronicsТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V, Icutoff-max = 100 мкА, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 28513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.64 EUR
276+0.61 EUR
295+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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MJE340On SemiconductorNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20Вт, TO-225AA (комплем. MJE350) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 28504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.64 EUR
276+0.62 EUR
296+0.57 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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MJE340CDILNPN 500mA 300V 21W MJE340 CDIL TMJE340
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MJE340MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single Transistor, NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.94 EUR
199+1.17 EUR
291+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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MJE340onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
auf Bestellung 9343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.09 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MJE340ON SemiconductorТранзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 26178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.43 EUR
413+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
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MJE340 (Hottech)
Produktcode: 189369
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 300 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 300 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 А
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1+0.46 EUR
10+0.42 EUR
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MJE340 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 29960
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STMTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 300 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 A
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet 25.07.2026
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.58 EUR
10+0.52 EUR
100+0.48 EUR
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MJE340 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 128645
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CDILTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 300 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 300 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 А
Montage: THT
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1+0.31 EUR
10+0.27 EUR
100+0.25 EUR
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MJE340 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
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MJE340 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 3.0Vebo 500mA 20.8W
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MJE340-STUONS/FAIТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340/350
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE340F
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 16297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.02 EUR
511+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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MJE340GJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU; MJE340G JSMICRO TMJE340 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
auf Bestellung 14862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.09 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.62 EUR
170+0.99 EUR
511+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GOn SemiconductorNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20Вт, TO-225AA (комплем. MJE350) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
384+0.45 EUR
408+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
185+1.26 EUR
279+0.77 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340G
Produktcode: 112487
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STMTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 300 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 А
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.6 EUR
502+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.37 EUR
185+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON-SemiconductorNPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 247050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
424+0.4 EUR
521+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 424 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 30...240
auf Bestellung 1301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.14 EUR
115+0.74 EUR
178+0.48 EUR
200+0.43 EUR
250+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 247067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+0.44 EUR
424+0.39 EUR
522+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.7 EUR
293+0.57 EUR
502+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340G/MJE350GONTO-225 10+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340MJE350FSCST
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STUonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE3439
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439onsemiDescription: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439On SemiconductorNPN, Uкэ=350V, Iк=0.3A, h21=15...200, 15МГц, 15Вт, TO-225AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3439 - TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.3A 350V 15W NPN
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.92 EUR
211+0.8 EUR
278+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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