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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIS9122DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 8A; 11.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 167mΩ
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 11.4W
Gate charge: 6nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9122DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS932EDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
250+0.93 EUR
282+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS932EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS932EDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
250+0.93 EUR
282+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS932EDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 9282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.13 EUR
100+0.81 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS932EDN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 14.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS932EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 4919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
50+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS932EDN-T1-GE3 мосфет
Produktcode: 223360
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9446DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.3A PWRPAIR
auf Bestellung 5131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.3 EUR
50+1.73 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9446DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.75 EUR
83+2.81 EUR
123+1.75 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9446DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 34A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 12mΩ
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 4.7nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -16...20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9446DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.3A PWRPAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9446DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
123+1.75 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS950SIS
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS961SIS
auf Bestellung 8502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS961A1CASISBGA
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS961A2EA-AB-1SISBGA
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS961BOIASISBGA
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962SIS03+
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962 A2 IASISBGA
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962A2
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962A2IA(CM02)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962LSISBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS962LRev:A2
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS962LRev:C1
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962LU
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962LUASIS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962LUA-C1SIS0348+
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962UASIS04+
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962UA B1 OASISBGA
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962UA B1 PASISBGA
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963SIS2003
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.2 EUR
50+1.65 EUR
100+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3VishayVishay
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 17.9W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.18 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963A2IA-AB-1SISBGA
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963LUASIS07+
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963LUA-C1SIS2006
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963LUAC1
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963LUAZSIS07+
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963LUAZC1
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963UASIS03+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963UA/B1
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963UAA2IA-AB-1SISBGA
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963UAB1PA-B-1SIS2003
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964SIS06+
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964 A203+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964A2
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964A2GA
auf Bestellung 1691 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964A2GA-B-1SIS06+PB
auf Bestellung 10398 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964LSIS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964LA2G-A-B-1SISBGA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIS964ZSIS0601
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SIS964ZA2
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SIS9650548+
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SIS965/B1
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SIS965B1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS965B1FA-H-1
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SIS965LSIS
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SIS966SIS06+
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SIS966L
auf Bestellung 23 Stücke:
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SIS966Z(A1)
auf Bestellung 326 Stücke:
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SIS968N/A
auf Bestellung 204 Stücke:
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SIS968BO
auf Bestellung 26 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS968BOAASIS08+
auf Bestellung 784 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9806
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 9.7A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.105Ω
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 16W
Gate charge: 8nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 17271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.43 EUR
100+1.08 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
142+1.64 EUR
186+1.15 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
13+1.74 EUR
50+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 27791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+2.65 EUR
142+1.64 EUR
186+1.15 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.61 EUR
6000+0.56 EUR
9000+0.54 EUR
15000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
128+1.81 EUR
190+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
auf Bestellung 18845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 20006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.37 EUR
100+0.95 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.74 EUR
3000+0.65 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
128+1.81 EUR
190+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
auf Bestellung 4205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
94+2.49 EUR
139+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3
auf Bestellung 23276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+1.65 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 27AK1009
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
118+1.98 EUR
132+1.63 EUR
250+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.71 EUR
109+1.58 EUR
110+1.51 EUR
134+1.19 EUR
250+1.12 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
auf Bestellung 1489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 4981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
113+2.06 EUR
170+1.26 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 4981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.5 EUR
113+2.06 EUR
170+1.26 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SISA10BDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 26A
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SISA10BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
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SISA10DNVishay / SiliconixMOSFET
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SISA10DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3
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SISA10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
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