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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS6294ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,5mOhm; 13A; 3W; -55°C ~ 175°C; FDS6294 TFDS6294
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6294Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
auf Bestellung 18921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
962+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6294-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6294ASFAIRCHIL00+ SOP
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6294NLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6294_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V
auf Bestellung 244466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
574+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH Fast SwitCH PwrTrenCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6298 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298-Gonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298AFDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298AS
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298NLFAIRCHILD
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298_GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298_Gonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6298_Tonsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6299SOP-8 07+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6299CSFAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6299SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 15 V
auf Bestellung 25342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
150+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6299SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6299S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6299SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6299SFAIRCHILD
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6299S-NL
auf Bestellung 61053 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6299SNLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6370AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6374-NLFDS
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6375ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 7735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6375
Produktcode: 34124
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FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2694/26
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
    1+0.83 EUR
    10+0.68 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375onsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -20V
    auf Bestellung 62823 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+1.75 EUR
    10+1.45 EUR
    100+1.13 EUR
    500+0.95 EUR
    1000+0.77 EUR
    2500+0.74 EUR
    5000+0.7 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SOIC
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Vgs (Max): ±8V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 2500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+0.6 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 2500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+0.9 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 1917 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    145+1.21 EUR
    185+0.92 EUR
    187+0.88 EUR
    234+0.67 EUR
    250+0.64 EUR
    500+0.54 EUR
    1000+0.44 EUR
    Mindestbestellmenge: 145 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 20V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 2.5W
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
    SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    auf Bestellung 128 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 2500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+0.55 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SOIC
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Vgs (Max): ±8V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
    auf Bestellung 585 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    10+2.2 EUR
    16+1.38 EUR
    100+0.9 EUR
    500+0.7 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375FairchildTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 39mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6375 TFDS6375
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 28 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.32 EUR
    Mindestbestellmenge: 28 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375ONSEMICategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
    Case: SO8
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    Technology: PowerTrench®
    Type of transistor: P-MOSFET
    Drain-source voltage: -20V
    Drain current: -8A
    Gate charge: 36nC
    On-state resistance: 39mΩ
    Power dissipation: 2.5W
    Gate-source voltage: ±8V
    Polarisation: unipolar
    auf Bestellung 758 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    62+1.38 EUR
    74+1.17 EUR
    84+1.02 EUR
    118+0.73 EUR
    Mindestbestellmenge: 62 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 1917 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    185+0.95 EUR
    Mindestbestellmenge: 185 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375-NLFAIRCHIL09+ BGA
    auf Bestellung 850 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375NLFAIRCHILD
    auf Bestellung 9000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6375_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -20V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6376FAIRCHILD07+ SO-8
    auf Bestellung 20000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6393AFDSSOP-8
    auf Bestellung 250 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6406CSFAIRCHIL09+ SOP8
    auf Bestellung 1020 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6410FDSSOP-8
    auf Bestellung 220 Stücke:
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    FDS6466FAIRCHILD
    auf Bestellung 96 Stücke:
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    FDS6520FSCSOP-8
    auf Bestellung 160 Stücke:
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    FDS6520AMFDSSOP-8
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    FDS6570FDSSOP-8
    auf Bestellung 300 Stücke:
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    FDS6570-NL
    auf Bestellung 30000 Stücke:
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    FDS6570AFAIRCHILDSO-8
    auf Bestellung 41000 Stücke:
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 20V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 15A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 2.5W
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: PowerTrench
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
    SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
    auf Bestellung 2394 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 20V
    auf Bestellung 1902 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.45 EUR
    2500+2.78 EUR
    5000+2.7 EUR
    10000+2.67 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Vgs (Max): ±8V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SOIC
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570AFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    Packaging: Bulk
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SOIC
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Vgs (Max): ±8V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570AONS/FAISO8, Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570A
    Produktcode: 193947
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    Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 20V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 15A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 2.5W
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: PowerTrench
    productTraceability: No
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
    SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
    auf Bestellung 2394 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Vgs (Max): ±8V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SOIC
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570A-NL
    auf Bestellung 60000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570ANLFAIRCHILD
    auf Bestellung 6000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570A_NLFSC09+
    auf Bestellung 2528 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6570NLFAIRCHILD
    auf Bestellung 32500 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6572FDSSOP-8
    auf Bestellung 2200 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6572AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6572AFAIRCHILDSO-8
    auf Bestellung 41000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6572AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6572A - MISCELLANEOUS MOSFETS
    tariffCode: 85412900
    productTraceability: No
    rohsCompliant: YES
    euEccn: NLR
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: TBA
    usEccn: EAR99
    SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    auf Bestellung 373117 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 193 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574
    auf Bestellung 30000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 20
    Dauer-Drainstrom Id: 16
    Qualifikation: -
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Verlustleistung Pd: 2.5
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
    Verlustleistung: 2.5
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8
    Produktpalette: -
    Wandlerpolarität: n-Kanal
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
    Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
    Betriebstemperatur, max.: 175
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
    SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
    auf Bestellung 3747 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 9mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6574A TFDS6574a
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 50 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+1.73 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574A
    Produktcode: 175545
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
    auf Bestellung 2500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8
    auf Bestellung 2891 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574A-NL
    auf Bestellung 94000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574A_NLFAIRCHILD09+
    auf Bestellung 728 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6574NLFAIRCHILD
    auf Bestellung 30000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 7500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+0.9 EUR
    5000+0.84 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+1.7 EUR
    5000+1.48 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 1516 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    431+1.54 EUR
    500+1.36 EUR
    1000+1.23 EUR
    Mindestbestellmenge: 431 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 587 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    91+1.94 EUR
    92+1.9 EUR
    116+1.46 EUR
    250+1.42 EUR
    500+0.9 EUR
    Mindestbestellmenge: 91 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SOIC
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Vgs (Max): ±8V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
    auf Bestellung 11678 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    8+2.67 EUR
    10+2.17 EUR
    100+1.69 EUR
    500+1.43 EUR
    1000+1.17 EUR
    Mindestbestellmenge: 8 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -20V
    auf Bestellung 3051 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+3.09 EUR
    10+2.48 EUR
    100+1.68 EUR
    500+1.33 EUR
    1000+1.21 EUR
    2500+1.09 EUR
    5000+1.06 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 20V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 10A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 2.5W
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
    SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
    auf Bestellung 1343 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 7500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+0.98 EUR
    5000+0.89 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 2269 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    431+1.54 EUR
    500+1.36 EUR
    1000+1.23 EUR
    Mindestbestellmenge: 431 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 7 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Vgs (Max): ±8V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Supplier Device Package: 8-SOIC
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
    FET Type: P-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    auf Bestellung 7500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2500+1.09 EUR
    5000+1.05 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575-NLFAIRCHILD09+
    auf Bestellung 4528 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6575NLFAIRCHILD
    auf Bestellung 150000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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